3.1. Общие замечания

Полупроводниковые детекторы в ЯМ являются успешными конкурентами сцинтилляторов при детектировании излучений и визуализации распределения активности. Преимущества полупроводниковых детекторов (ПД) заключается в их высоком энергетическом разрешении и возможности создания на их базе систем визуализации с очень хорошим пространственным разрешением. Наилучшим из (ПД) по энергетическому разрешению является германий, однако ему для нормальной работы необходимы низкие температуры. Ряд других полупроводников, к которым относятся иодид ртути (HgI₂), теллурид кадмия (CdTe) и теллурид кадмий цинк (CdZnTe) могут работать при комнатной температуре.

Полупроводниковые детекторы используются в ЯМ для обнаружения областей аномального усвоения радиофармпрепарата при хирургических процедурах и эндоскопии. Относительно недавно на их на их базе разработаны разнообразные матричные детекторы, обладающие высоким пространственным разрешением. В этом разделе на основе материалов обзорных работ [4,5] анализируется физика (ПД) и их применение в ЯМ.