3.6. Коррекция захватов

В настоящий момент используются два подхода к решению проблемы захвата носителей заряда. Первый заключается в сборе дополнительной информации о сигнале во временном интервале и соответствующей корректировке отрицательного влияния захвата на амплитуду сигнала. Во втором подходе применяется специальная конфигурация электродов, которая подавляет отрицательный эффект захвата на величину сигналов. В обоих случаях решение проблемы основывается на том факте, что у большинства полупроводников, обладающих существенным эффектом захвата носителей, произведение подвижности на время жизни (μτ) для разных типов носителей сильно отличается. Например, у выпускаемого в настоящее время детекторов CdZnTe (μτ) для электронов на два порядка выше, чем для дырок. В тоже время из уравнения (2.17) однозначно следует, что временная зависимость сигнала в плоском детекторе сильно зависит от μτ для каждого носителя и от глубины взаимодействия. Если толщина детектора равна 1 см, то характерная длина до захвата электрона оказывается много большей, в то время как характерная длина до захвата дырки оказывается много меньшей, чем толщина детектора.

Рис. 2.21. Модельный энергетический спектр для λ_e/L = 10 и λ_h/L = 0,1, 0,6, 2 и 10 при падении фотонов на отрицательный электрод и однородным взаимодействием по глубине в предположении, что вся энергия, передаваемая в среду фотоном, поглощается в точке взаимодействия