§ 72. Дефекты в кристаллах

Рассмотренные в § 71 идеальные кристаллические структуры существуют лишь в очень малых объемах реальных кристаллов, в которых всегда имеются отклонения от упорядоченного расположения частиц в узлах решетки, называемые дефектами кристаллической решетки.Дефектыделятся намакроскопические, возникающие в процессе образования и роста кристаллов (например, трещины, поры, инородные макроскопи­ческие включения), и микроскопические, обусловленные микроскопическими отклонени­ями от периодичности.

Микродефектыделятся наточечныеилинейные. Точечные дефекты бывают трех типов: 1)вакансии— отсутствие атома в узле кристаллической решетки (рис. 111,a); 2)междоузельный атом— атом, внедрившийся в междоузельное пространство (рис. 111,б); 3) примесный атом — атом примеси, либо замещающий атом основного веще­ства в кристаллической решетке (примесь замещения, рис. 111,в), либо внедрившийся в междоузельное пространство (примесь внедрения, рис. 111,б; только в междоузлии вместо атома основного вещества располагается атом примеси). Точечные дефекты нарушают лишь ближний порядок в кристаллах, не затрагивая дальнего порядка, — в этом состоит их характерная особенность.

Линейные дефекты нарушают дальний порядок. Как следует из опытов, механичес­кие свойства кристаллов в значительной степени определяются дефектами особого вида — дислокациями. Дислокации— линейные дефекты, нарушающие правильное че­редование атомных плоскостей.

Дислокации бывают краевыеивинтовые. Если одна из атомных плоскостей об­рывается внутри кристалла, то край этой плоскости образует краевую дислокацию (рис. 112,а).В случае винтовой дислокации (рис. 112, б) ни одна из атомных плоскостей внутри кристалла не обрывается, а сами плоскости лишь приблизительно параллельны и смыкаются друг с другом так, что фактически кристалл состоит из одной атомной плоскости, изогнутой по винтовой поверхности.

Плотность дислокаций(число дислокаций, приходящихся на единицу площади поверхности кристалла) для совершенных монокристаллов составляет 10²— 10³см^–2, для деформированных кристаллов — 10¹⁰— 10¹²см^–2. Дислокации никогда не об­рываются, они либо выходят на поверхность, либо разветвляются, поэтому в реальном кристалле образуются плоские или пространственные сетки дислокаций. Дислокации и их движение можно наблюдать с помощью электронного микроскопа, а также методом избирательного травления — в местах выхода дислокации на поверхность возникают ямки травления (интенсивное разрушение кристалла под действием реаген­та), «проявляющие» дислокации.

Наличие дефектов в кристаллической структуре влияет на свойства кристаллов, анализ которых проведем ниже.