Температурно - временной режим эпитаксии

I область насыщения раствора

II область кристаллизации

1 – контакт подложки с расплавом

2 – удаление расплава с подложки.

Примеси вводят в расплав.

При получении многослойных структур расплавы, входящие в контакт с подложкой, имеют различные составы.