Нанотехнология, определения и понятия
Термин «нанотехнология» возник от присоединения приставки «нано» и объединяет различные направления в физике, химии, практическое использование их достижений, когда идет речь о размерах частиц в диапазоне 1-100 нм, 1 нм -10-9м (в 100 тысяч раз меньше человеческого волоса).
Наука и технология в наномасштабе – это фундаментальное понимание и получаемые технологические преимущества в использовании новых физических, химических, биологических свойств систем промежуточных по размерам между атомами и молекулами и массивными материалами.
История: 1959 г Нобелевский лауреат Р. Фейнман в лекции «Внизу полным полно места» высказал идею создания отдельных деталей и устройств способом «атомной укладки».
1986 г Эрик Дрекслер в книге «Машины творения» предложил создать «молекулярные машины» и раскрыл их удивительные возможности.
С другой стороны к этому подвинуло развитие и уменьшение элементной базы микроэлектроники и достижения инструментальной техники исследования веществ:
1. Уменьшение размеров БИС до 100 нм и увеличение плотности магнитной записи до 100 Гбит/дюйм2 привело к пределу возможностей существующих технологий – «глухой кирпичной стене». Так плотность 1 Терабита/см2 требует промежутка 20 нм на 1 бит информации, что для существующих материалов невозможно.
2. Плотность записи на DVD в несколько десятков Гбит лимитируется диной волны используемого излучения для считывания (при более плотной записи оптическое считывание невозможно). Т.е. по быстродействию и степени интеграции функциональных элементов в ближайшие годы будет достигнут предел, определяемый известным законом физики.
3. С другой стороны появляются новые инструментарии для «манипуляции» атомами и молекулами.
1981 г – изобретение сканирующего электронного микроскопа. Суть его работы: супертонкий золотой зонд подводят на 1 мкм к поверхности. При этом возникает туннельный ток, величина которого зависит от рельефа и однородности поверхности. Это позволяет получать прямое «изображение».
Далее была сделана попытка использовать зонд в качестве «резца», подавая на него потенциал. В результате сотрудники ИМБ первыми могли сделать «атомную укладку», написав из 35 атомов Хе название фирмы.
С уменьшением размеров частиц до 100 нм и меньше изменится сопротивление, показатель преломления, прочность, Тпл, магнитные свойства, оптические свойства. Появляются новые свойства (взрываемость, увеличивается каталитическая и реакционная способность и т.д.).
Это позволяет осуществить технологически прорывы и пробить возникшие «глухие стены» в таких областях как:
― получение новых конструкционных материалов;
― новые полупроводниковые материалы и функциональные элементы;
― создание интеллектуальных (самовосстанавливающихся) материалов;
― малоразмерные сверхчувствительные сенсоры;
― новые устройства записи информации;
― преобразование и хранение энергии;
― решение проблем рака, других заболеваний, путем доставки микрокапсул лекарственных веществ к очагу болезни;
― создание генетически измененных сельскохозяйственных культур и пород животных;
― регенерирование органов человека и т.д.
- Оглавление
- Классификация мэт
- Проводниковые материалы
- Физическая природа электропроводности металлов
- Зависимость электропроводности металлов от температуры и примеры
- Электрические свойства металлических сплавов
- Сопротивление проводников на высоких частотах
- Сопротивление тонких металлических плёнок. Размерный эффект
- Контактные явления в металлах
- Материалы высокой проводимости. Медь
- Алюминий
- Сверхпроводящие металлы и сплавы
- Специальные сплавы
- Сплавы для термопар
- Сплавы для корпусов приборов
- Тугоплавкие металлы
- Благородные металлы
- Неметаллические проводящие материалы
- Полупроводники. Классификация полупроводниковых материалов
- Собственные и примесные полупроводники
- Температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- Подвижность носителей заряда в полупроводниках
- Электрофизические явления в полупроводниках.
- Кремний
- Физико-химические и электрические свойства Si
- Марки кремния.
- Германий
- Физико-химические и электрические свойства германия
- Карбид кремния (SiC)
- Полупроводниковые соединения аiii вv
- Твердые растворы на основе аiii вv
- Полупроводниковые соединения aiibvi и трз на их основе
- Полупроводниковые соединения aivbvi и трз на их основе
- Диэлектрики, классификация, основные свойства
- Электропроводность диэлектриков
- Потери в диэлектриках
- Пробой диэлектриков
- Полимеры в электронной технике
- Композиционные пластмассы и пластики
- Электроизоляционные компаунды
- Неорганические стекла
- Ситаллы
- Керамики
- Активные диэлектрики
- Сегнетоэлектрики
- Пьезоэлектрики
- Пироэлектрики
- Электреты
- Жидкие кристаллы
- Материалы для твердотельных лазеров
- Магнитные материалы. Их классификация
- Магнитомягкие материалы
- Магнитотвердые материалы
- Технология получения материалов электронной техники Методы получения тонких пленок
- Вакуумные методы. Термическое вакуумное напыление.
- Кинетика процесса конденсации. Роль подложки
- Создание вакуума в вакуумных установках
- Измерение вакуума
- Вакуумные установки термического напыления
- Катодное вакуумное распыление (диодное)
- Ионно - плазменное распыление
- Эпитаксиальные процессы в технологии материалов электронной техники
- Механизм процесса эпитаксии
- Автоэпитаксия кремния
- Гетероэпитаксия кремния
- Эпитаксия полупроводниковых соединений аiiibv и трз на их основе
- Температурно - временной режим эпитаксии
- Эпитаксия SiC
- Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев
- Элионные технологии
- Ионно-лучевые установки
- Механическая обработка полупроводниковых материалов
- Шлифование и полирование пластин
- Химическая обработка поверхности полупроводника
- Методы отчистки поверхности
- Фотолитография (операции, материалы)
- Нанотехнология, определения и понятия
- Инструменты для измерения наноструктур
- Наноструктуры и наноустройства
- Методы нанотехнологий