Инструменты для измерения наноструктур
Спектроскопия – важна для изучения наноструктур.Однако из-за λ (400-900 нм) не позволяет изучать сами наноразмерные элементы.
Электрохимические методы позволяют исследовать природу поверхности атомов изучая химические реакции.
Электронная микроскопия – разрешающая способность оптических микроскопов ~ 200 нм. (1/2 λ). Электронные микроскопы: просвечивающие (ПЭМ) и сканирующие (СЭМ). Волновая природа электронов позволяет увеличивать разрешающую способность на 2-3 порядка.
ПЭМ- электронный луч проходит через слой 1 мкм. СЭМ - регистрируется отражение или вторичные электроны с поверхности. Нужен высокий вакуум для тех и других. В ПЭМ электронный луч позволяет получить прямое изображение дефектов или кристаллических структур, анализировать периодичность атомных структур. Разрешающая способность до 0,2 нм, что позволяет получить фото атомов и молекул. Однако сложна методика приготовления образцов. Атомный слой наносят за счет «ионн фрезирования». Развитие СЭМ долго отставало от ПЭМ. Сейчас разрешающая способность до 0,5 нм.
Зондовая микроскопия. СТМ - сканирующая туннельная микроскопия. АСМ – атомарно силовая микроскопия. СОМБП- сканирующий оптический микроскоп ближнего поля. Все они сканируют поверхность при помощи зонда или щупа в виде супериголки. Имеют повышенное разрешение по вертикальной координате (профилю) с точностью до размеров отдельных атомов.
В СТМ (1981 г.) атомарная структура изучается путем измерения туннельного тока, проникающего между зондом и поверхностью образца, который должен быть электропроводящим. Величина туннельного тока определяется структурными особенностями поверхности. Она позволяет контролировать положение отдельных атомов с точностью нескольких Ă. (предел существующих методик). Зонд находится на расстоянии 1 мкм. Разрешение определяется «остротой» зонда. Лучшее разрешение, когда на острие 1 атом.
В АСМ (1986 г.) используется измерение межатомарных сил. Здесь зонд (кантиллевер) прикреплен к концу плоской пружины и его положение определяется величиной отталкивания, которая может быть выражена в Ньютонах. Положение зонда регистрируются по отклонению луча лазера. Разрешение вплоть до 1 Ă. Используется для диэлектрических материалов. Позволяет изучать не только рельеф, но и магнитные, адсорбционные, электростатические свойства.
СОМБП (1992 г.). Принцип работы – регистрация полного отражения света от облученной поверхности на расстояниях много < λ падающего света. Разрешение доведено 20 нм. Позволяет получать информацию о строении поверхности.
- Оглавление
- Классификация мэт
- Проводниковые материалы
- Физическая природа электропроводности металлов
- Зависимость электропроводности металлов от температуры и примеры
- Электрические свойства металлических сплавов
- Сопротивление проводников на высоких частотах
- Сопротивление тонких металлических плёнок. Размерный эффект
- Контактные явления в металлах
- Материалы высокой проводимости. Медь
- Алюминий
- Сверхпроводящие металлы и сплавы
- Специальные сплавы
- Сплавы для термопар
- Сплавы для корпусов приборов
- Тугоплавкие металлы
- Благородные металлы
- Неметаллические проводящие материалы
- Полупроводники. Классификация полупроводниковых материалов
- Собственные и примесные полупроводники
- Температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- Подвижность носителей заряда в полупроводниках
- Электрофизические явления в полупроводниках.
- Кремний
- Физико-химические и электрические свойства Si
- Марки кремния.
- Германий
- Физико-химические и электрические свойства германия
- Карбид кремния (SiC)
- Полупроводниковые соединения аiii вv
- Твердые растворы на основе аiii вv
- Полупроводниковые соединения aiibvi и трз на их основе
- Полупроводниковые соединения aivbvi и трз на их основе
- Диэлектрики, классификация, основные свойства
- Электропроводность диэлектриков
- Потери в диэлектриках
- Пробой диэлектриков
- Полимеры в электронной технике
- Композиционные пластмассы и пластики
- Электроизоляционные компаунды
- Неорганические стекла
- Ситаллы
- Керамики
- Активные диэлектрики
- Сегнетоэлектрики
- Пьезоэлектрики
- Пироэлектрики
- Электреты
- Жидкие кристаллы
- Материалы для твердотельных лазеров
- Магнитные материалы. Их классификация
- Магнитомягкие материалы
- Магнитотвердые материалы
- Технология получения материалов электронной техники Методы получения тонких пленок
- Вакуумные методы. Термическое вакуумное напыление.
- Кинетика процесса конденсации. Роль подложки
- Создание вакуума в вакуумных установках
- Измерение вакуума
- Вакуумные установки термического напыления
- Катодное вакуумное распыление (диодное)
- Ионно - плазменное распыление
- Эпитаксиальные процессы в технологии материалов электронной техники
- Механизм процесса эпитаксии
- Автоэпитаксия кремния
- Гетероэпитаксия кремния
- Эпитаксия полупроводниковых соединений аiiibv и трз на их основе
- Температурно - временной режим эпитаксии
- Эпитаксия SiC
- Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев
- Элионные технологии
- Ионно-лучевые установки
- Механическая обработка полупроводниковых материалов
- Шлифование и полирование пластин
- Химическая обработка поверхности полупроводника
- Методы отчистки поверхности
- Фотолитография (операции, материалы)
- Нанотехнология, определения и понятия
- Инструменты для измерения наноструктур
- Наноструктуры и наноустройства
- Методы нанотехнологий