Пробой диэлектриков
Я вление образования проводящего канала в диэлектрике под действием электрического поля называется пробоем. Минимальное U, приводящее к пробою называется пробивным напряжением Uпр.
При пробое теряются изоляционные свойства. Предпробойное состояние характеризуется резким ростом тока, отступлением от закона Ома.
За Uпр принимают dI/dU=. Кроме природы материала на Uпр влияет также толщина диэлектрика h, форма электрического поля, конфигурация образца диэлектрика. То есть пробой - это свойства конкретного образца.
Для сравнения свойств различных материалов используют понятие электрической прочности. Это минимальное значение напряженности однородного электрического поля. Eпр=Uпр/h. При уменьшении h, Епр может увеличиться из-за трудностей в формировании разряда.
Пробой в твердом диэлектрике может его разрушить.
Пробой газов наступает как следствие развития процесса ударной ионизации (возбуждение атомов за счет столкновений при направленном движении). Основная роль в ионизации принадлежит электронам из-за их высокой подвижности. Возбуждая молекулы электрон может генерировать фотоны. Они в свою очередь вызывают внутреннюю фотонную ионизацию. В результате возникает проводящий канал – стример. Одновременно к катоду может возникать встречный лавинный поток положительно заряженных частиц (газоразрядная плазма). Если длительность воздействия U мала, то Uпр растет (может увеличиться в 1,5 раза) = Uпр.имп/Uпр. Uпр.имп – коэффициент импульса. Длительность подготовки пробоя на длине равной 1см 10-7 – 10-8с. Епр для воздуха 3,2 МВ/м при р = 0,1 Мпа и l = 1см. При увеличении давления Епр будет более 3,2 МВ/м, а при снижении р Епр сначала несколько уменьшится, а затем в вакууме увеличиться до 102 МВ/м (пробой все равно будет иметь место за счет холодной эмиссии – вырывание электронов с поверхности катода). Сложна также зависимость Uпр от f (сначала Uпр падает с ростом f, а затем возрастает). Значение Uпр минимально при f = 5*106 Гц.
Электрическая прочность Епр зависит также от химического состава газа. Епр для инертных газов меньше Епр воздуха. У SF6 и фреона (CCl2F2) Uпр>Uпр воздуха в 2,5 раза
При неоднородном электрическом поле (два острия) – возникает сначала корона, далее искровой разряд и дуга.
Жидкости имеют более высокие Епр (примеси ее понижают). Пробой может быть следствием перегрева жидкости и ее вскипания в местах нахождения примесей. Повышение f понижает Uпр.
У твердых диэлектриков может быть три механизма пробоя: электрический, тепловой и электрохимический. Они могут быть в одном диэлектрике.
а) электрический пробой. Время развития 10-7 – 10-8с. Сопровождается разрушением диэлектрика в узком канале. Это чисто электронный процесс. Развитие электронной лавины сопровождается фотоионизацией. В канале температура увеличивается вплоть до Тпл, растет давление (возникают трещины). Епр окислов, хлорида натрия может быть больше 1000 МВ/м. Тонкие пленки имеют более высокую Епр, чем массивные образцы. Это свойство называется электрическим упрочением материалов. Оно используется при изоляции элементов микроэлектроники. Так эксплуатационные значения Е в тонких пленках могут достигать 108 В/м. Это значение примерно соответствует пробивным U для объемных образцов.
б) тепловой пробой. Возникает за счет высоких диэлектрических потерь и нарушения теплового равновесия. Сводится к разогреву материала до Тпл и более. Это характеристика не столько материала, а изделия из него (так как влияет Токруж, условия охлаждения, нагревостойкость вещества). Типичный признак теплового пробоя понижение Uпр с ростом Токр.ср, а также уменьшение Епр от времени. Разновидностью теплового пробоя является ионизационный пробой характерный для пористых диэлектриков.
в) электрохимический пробой. Имеет значение при повышенной Т и высокой влажности воздуха, наблюдается при необратимом падении сопротивления (электрохимическое старение). Может иметь место при высоких f из-за электрохимических процессов в порах (восстановление окислов и т.п.). Для его развития требуется длительное время. В материалах содержащих металлы переменной валентности Ti (TiO2 в керамике), встречаются чаще, чем в керамике из окислов Al, Si, Mg, Ba. Характерен для органических материалов.
Поверхностный пробой – пробой газа или жидкости вблизи поверхности твердого тела. Электрическая прочность твердого тела диэлектрика не нарушается, однако образование проводящего канала на поверхности снижает рабочее U изолятора. Зависит от температуры, влажности, давления среды, f. Может быть меньше Uпр для газа в тех же условиях. Для предотвращения поверхностного пробоя увеличивают длину пробивного пути за счет создания ребристой поверхности изоляторов (канавки, утопленные электроды), нанесение защитных изолированных пленок, замена воздуха жидким диэлектриком (трансформаторное масло).
- Оглавление
- Классификация мэт
- Проводниковые материалы
- Физическая природа электропроводности металлов
- Зависимость электропроводности металлов от температуры и примеры
- Электрические свойства металлических сплавов
- Сопротивление проводников на высоких частотах
- Сопротивление тонких металлических плёнок. Размерный эффект
- Контактные явления в металлах
- Материалы высокой проводимости. Медь
- Алюминий
- Сверхпроводящие металлы и сплавы
- Специальные сплавы
- Сплавы для термопар
- Сплавы для корпусов приборов
- Тугоплавкие металлы
- Благородные металлы
- Неметаллические проводящие материалы
- Полупроводники. Классификация полупроводниковых материалов
- Собственные и примесные полупроводники
- Температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- Подвижность носителей заряда в полупроводниках
- Электрофизические явления в полупроводниках.
- Кремний
- Физико-химические и электрические свойства Si
- Марки кремния.
- Германий
- Физико-химические и электрические свойства германия
- Карбид кремния (SiC)
- Полупроводниковые соединения аiii вv
- Твердые растворы на основе аiii вv
- Полупроводниковые соединения aiibvi и трз на их основе
- Полупроводниковые соединения aivbvi и трз на их основе
- Диэлектрики, классификация, основные свойства
- Электропроводность диэлектриков
- Потери в диэлектриках
- Пробой диэлектриков
- Полимеры в электронной технике
- Композиционные пластмассы и пластики
- Электроизоляционные компаунды
- Неорганические стекла
- Ситаллы
- Керамики
- Активные диэлектрики
- Сегнетоэлектрики
- Пьезоэлектрики
- Пироэлектрики
- Электреты
- Жидкие кристаллы
- Материалы для твердотельных лазеров
- Магнитные материалы. Их классификация
- Магнитомягкие материалы
- Магнитотвердые материалы
- Технология получения материалов электронной техники Методы получения тонких пленок
- Вакуумные методы. Термическое вакуумное напыление.
- Кинетика процесса конденсации. Роль подложки
- Создание вакуума в вакуумных установках
- Измерение вакуума
- Вакуумные установки термического напыления
- Катодное вакуумное распыление (диодное)
- Ионно - плазменное распыление
- Эпитаксиальные процессы в технологии материалов электронной техники
- Механизм процесса эпитаксии
- Автоэпитаксия кремния
- Гетероэпитаксия кремния
- Эпитаксия полупроводниковых соединений аiiibv и трз на их основе
- Температурно - временной режим эпитаксии
- Эпитаксия SiC
- Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев
- Элионные технологии
- Ионно-лучевые установки
- Механическая обработка полупроводниковых материалов
- Шлифование и полирование пластин
- Химическая обработка поверхности полупроводника
- Методы отчистки поверхности
- Фотолитография (операции, материалы)
- Нанотехнология, определения и понятия
- Инструменты для измерения наноструктур
- Наноструктуры и наноустройства
- Методы нанотехнологий