Керамики
Греч. «керамос» - горшечная глина. Это большая группа диэлектриков, объединенных общностью технологического цикла. Достоинства – высокая нагревостойкость, отсутствие гигроскопичности, высокое , механическая прочность, стабильность характеристик и надежность, стойкость к излучениям, развитию плесени и т.д.
Керамический материал состоит из кристаллической фазы и связывающей ее стекловидной составляющей, определяющей Tспекания и пластичность керамики.
Сырье – кварц, глинозем, тальк, окислы и карбонаты.
Технология получения керамического материала включает:
1. тонкое измельчение и смешивание компонентов (мельницы);
2. пластификация массы добавлением парафина, поливинил. спирта);
3. формование заготовок прессованием или выдавливанием;
4. спекание изделий (обжиг) при 1300оС и более.
Усадка из-за выгорания пластификатора и удаления H2O может достигать 20%.
Керамику подразделяют на установочную и конденсаторную.
Установочная керамика – изоляторы, конструкционные изделия, подложки ИС, ламповые панели, корпуса резисторов, внутриламповых изоляторов и т.п. Изоляторный фарфор – низкочастотный установочный материал. При обжиге сырья (глина, кварцевый песок, полевой шпат) образуется основная кристаллическая фаза – муллит (3Al2O3 2SiO2).
Свойства: низкая пористость, высокая плотность, водонепроницаемость, механическая прочность, но tg=10-2, т.е. можно использовать только при низких частотах. Радиофарфор отличается добавлением BaO, что резко снижает tg и в 100 раз увеличивает . Ультрафарфор содержит до 80% Al2O3+BaO и имеет низкие диэлектрические потери и высокую механическую прочность. Марки: УФ-46, УФ-53.
Корундовая керамика, содержит до 95-99% Al2O3 - называется алюминооксидом (стойкость до 1600 оС, теплопроводна, механически прочна, малые диэлектрические потери). Используется для вакуумплотных изоляторов и подложек ИС, внутриламповых изоляторов с пористой структурой (не трескается). Разновидность алюминооксида - поликор, отличающийся особо плотной структурой. Прозрачен. Используется для изготовления колб, источников света, подложек для гибридных ИС. Преимущества керамических подложек перед ситаллами большая теплопроводность. Среди неметаллов наибольшая теплопроводность у BeO. Керамика на основе BeO (95-99%) называется брокеритом. Ее теплопроводность в 250 раз больше теплопроводности стекол и ситаллов, = 1016 Ом∙м; tg=3∙10-4 (f=1МГц). Используется для подложек ИС, в мощных СВЧ приборах, получении вакуумных спаев, керамики с Cu и коваром. Низкими диэлектрическими потерями при высоких f обладают цельзиановая (BaO Al2O3 2SiO2), стеатитовая (на основе талька 3MgO 4SiO2 H2O), форстеритовая (2MgO SiO2) керамики.
Более 50% конденсаторов изготавливаются из керамики. Здесь используются материалы с низким tg: титановую керамику (тиконды) на основе TiO2, CaTiO3 (перевскит), SrTiO3 , а также Ti – Zr керамика (твердые растворы на основе TiO2 - ZrO2), лантановая (LaAlO3 – CaTiO3), станнатная (CaSnO3+CaTiO3+CaZrO3).
Основу низкочастотной конденсаторной керамики составляет BaTiO3 – конденсаторная сегнетокерамика. Имеет =900-8000, но температурно нестабильна.
- Оглавление
- Классификация мэт
- Проводниковые материалы
- Физическая природа электропроводности металлов
- Зависимость электропроводности металлов от температуры и примеры
- Электрические свойства металлических сплавов
- Сопротивление проводников на высоких частотах
- Сопротивление тонких металлических плёнок. Размерный эффект
- Контактные явления в металлах
- Материалы высокой проводимости. Медь
- Алюминий
- Сверхпроводящие металлы и сплавы
- Специальные сплавы
- Сплавы для термопар
- Сплавы для корпусов приборов
- Тугоплавкие металлы
- Благородные металлы
- Неметаллические проводящие материалы
- Полупроводники. Классификация полупроводниковых материалов
- Собственные и примесные полупроводники
- Температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- Подвижность носителей заряда в полупроводниках
- Электрофизические явления в полупроводниках.
- Кремний
- Физико-химические и электрические свойства Si
- Марки кремния.
- Германий
- Физико-химические и электрические свойства германия
- Карбид кремния (SiC)
- Полупроводниковые соединения аiii вv
- Твердые растворы на основе аiii вv
- Полупроводниковые соединения aiibvi и трз на их основе
- Полупроводниковые соединения aivbvi и трз на их основе
- Диэлектрики, классификация, основные свойства
- Электропроводность диэлектриков
- Потери в диэлектриках
- Пробой диэлектриков
- Полимеры в электронной технике
- Композиционные пластмассы и пластики
- Электроизоляционные компаунды
- Неорганические стекла
- Ситаллы
- Керамики
- Активные диэлектрики
- Сегнетоэлектрики
- Пьезоэлектрики
- Пироэлектрики
- Электреты
- Жидкие кристаллы
- Материалы для твердотельных лазеров
- Магнитные материалы. Их классификация
- Магнитомягкие материалы
- Магнитотвердые материалы
- Технология получения материалов электронной техники Методы получения тонких пленок
- Вакуумные методы. Термическое вакуумное напыление.
- Кинетика процесса конденсации. Роль подложки
- Создание вакуума в вакуумных установках
- Измерение вакуума
- Вакуумные установки термического напыления
- Катодное вакуумное распыление (диодное)
- Ионно - плазменное распыление
- Эпитаксиальные процессы в технологии материалов электронной техники
- Механизм процесса эпитаксии
- Автоэпитаксия кремния
- Гетероэпитаксия кремния
- Эпитаксия полупроводниковых соединений аiiibv и трз на их основе
- Температурно - временной режим эпитаксии
- Эпитаксия SiC
- Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев
- Элионные технологии
- Ионно-лучевые установки
- Механическая обработка полупроводниковых материалов
- Шлифование и полирование пластин
- Химическая обработка поверхности полупроводника
- Методы отчистки поверхности
- Фотолитография (операции, материалы)
- Нанотехнология, определения и понятия
- Инструменты для измерения наноструктур
- Наноструктуры и наноустройства
- Методы нанотехнологий