Марки кремния.
В условное обозначение слитка монокристалла Si входит:
1. Наименование (К-кремний)
2. Тип электропроводности (Э-электронный, Д - дырочный)
3. Легирующая примесь (Б - бор, Ф – фосфор, С – сурьма)
4. Номинал удельного электрического сопротивления (от 0.005 до 80 Ом*см)
5. Группа марки
6. Подгруппа по диаметру монокристалла и базовой длине:
диаметр 62.5 мм -“а”,78.5 мм -“б”,102.5 мм -“в”,127.5 мм -“г”,152.5 мм -”д”;
длина а-100 мм, б-15 мм, в,г,д-250 мм.
7. Отклонение от номинального диаметра после калибровки до 60, 76, 100, 125, 150 мм –
8. Кристаллографическая ориентация:
- нет индекса, - “м”, - “э”
9. Отсутствие свирлевых дефектов: с1-для с2-для
10. ГОСТ.
Пример наименования: ГОСТ 19658-81
Иногда при изготовлении слитков по другим технологиям в обозначение вводят буквы “М” – моносилановый метод, “Б” – бестигельное зонное плавление (КМД-5, БКЭ-2А).
Эпитаксиальные слои по ТУ обозначают n-n+, n-p, p-n+ , где первый индекс - электропроводность полупроводникового слоя, а второй индекс – подложки. Знак ”+” обозначает сильное легирование.
Для ИМС обозначение имеет вид дроби:
Для защиты поверхности Si в приборах наращивают защитное покрытие из SiO2 , путем нагрева при 1100-13000С в атмосфере O2 до толщин = 0.2 1.2 мкм.
В изготовлении больших ИС все большее распространение получает полукристаллический кремний. Осаждение проводят путем термического разложения силана SiH4 при 700 , (то есть значительно больше сопротивления монокристалла). Из него выполняют резисторы, межсоединения, элементы транзисторов, обеспечивают надежную диэлектрическую изоляцию между элементами ИС. То есть делается комбинация элементов монокристаллического кремния и поликристаллического, что увеличивает плотность элементов и быстродействие ИС. Для увеличения проводимости поликристаллического кремния его легируют.
- Оглавление
- Классификация мэт
- Проводниковые материалы
- Физическая природа электропроводности металлов
- Зависимость электропроводности металлов от температуры и примеры
- Электрические свойства металлических сплавов
- Сопротивление проводников на высоких частотах
- Сопротивление тонких металлических плёнок. Размерный эффект
- Контактные явления в металлах
- Материалы высокой проводимости. Медь
- Алюминий
- Сверхпроводящие металлы и сплавы
- Специальные сплавы
- Сплавы для термопар
- Сплавы для корпусов приборов
- Тугоплавкие металлы
- Благородные металлы
- Неметаллические проводящие материалы
- Полупроводники. Классификация полупроводниковых материалов
- Собственные и примесные полупроводники
- Температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- Подвижность носителей заряда в полупроводниках
- Электрофизические явления в полупроводниках.
- Кремний
- Физико-химические и электрические свойства Si
- Марки кремния.
- Германий
- Физико-химические и электрические свойства германия
- Карбид кремния (SiC)
- Полупроводниковые соединения аiii вv
- Твердые растворы на основе аiii вv
- Полупроводниковые соединения aiibvi и трз на их основе
- Полупроводниковые соединения aivbvi и трз на их основе
- Диэлектрики, классификация, основные свойства
- Электропроводность диэлектриков
- Потери в диэлектриках
- Пробой диэлектриков
- Полимеры в электронной технике
- Композиционные пластмассы и пластики
- Электроизоляционные компаунды
- Неорганические стекла
- Ситаллы
- Керамики
- Активные диэлектрики
- Сегнетоэлектрики
- Пьезоэлектрики
- Пироэлектрики
- Электреты
- Жидкие кристаллы
- Материалы для твердотельных лазеров
- Магнитные материалы. Их классификация
- Магнитомягкие материалы
- Магнитотвердые материалы
- Технология получения материалов электронной техники Методы получения тонких пленок
- Вакуумные методы. Термическое вакуумное напыление.
- Кинетика процесса конденсации. Роль подложки
- Создание вакуума в вакуумных установках
- Измерение вакуума
- Вакуумные установки термического напыления
- Катодное вакуумное распыление (диодное)
- Ионно - плазменное распыление
- Эпитаксиальные процессы в технологии материалов электронной техники
- Механизм процесса эпитаксии
- Автоэпитаксия кремния
- Гетероэпитаксия кремния
- Эпитаксия полупроводниковых соединений аiiibv и трз на их основе
- Температурно - временной режим эпитаксии
- Эпитаксия SiC
- Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев
- Элионные технологии
- Ионно-лучевые установки
- Механическая обработка полупроводниковых материалов
- Шлифование и полирование пластин
- Химическая обработка поверхности полупроводника
- Методы отчистки поверхности
- Фотолитография (операции, материалы)
- Нанотехнология, определения и понятия
- Инструменты для измерения наноструктур
- Наноструктуры и наноустройства
- Методы нанотехнологий