Шлифование и полирование пластин
Проводят для улучшения плоскостности, подгонки под определенные размеры, получения требуемого класса чистоты поверхности. Осуществляют с помощью абразивов:
Шлифование проводят алмазом, В4С (карбид бора), SiC, α-Al2O3 (корунд)
Полирование проводят Cr2O3, SiO2, оксидами и карбидами РЗЭ.
Твердость по Моосу у алмаза - 10, B4C - 10, SiC - 9.5, Al2O3 - 9.2, Cr2O3 - 7-8, Si - 7, Ge - 6, GaAs - 4.5.
Обозначение абразивов: А - алмаз природный, АС - алмаз синтетический, КБ - карбид В, КЗ - SiC (зеленый), КЧ - SiC(черный), ЭБ - электрокорунд, КЗМ – 14 - SiC зеленый с диаметром 14 мкм.
Для алмазных порошков указанны верхние и нижние пределы размеров. АСМ-3/2 – алмаз синтетический от 3 до 2 мкм. Пасты могут быть водорастворимыми «В» и «М»-мазеобразными и т.д.
Шлифование позволяет получить 3 - 12 кл поверхности. Проводят микропорошками от 28 до 3 мкм или алмазными шлифовальными кругами зернистостью от 120 до 5 мкм. На твердых шлифовальных дисках из чугуна, стали, стекла.
Полирование – проводят на мягких подложках из фетра, велюра, батиста, пропитанных абразивными пастами на жировой основе с диаметром абразива от 3 до 0,25 мкм. Класс чистоты соответствует 10 и выше. Более высокий класс чистоты дают Cr2O3, ZnO2, SiO2. Разновидностью является химико-механическое полирование (в состав суспензии входят соли меди и фторсодержащие вещества). Максимальная скорость удаления кремния имеет место при скорости вращения диска ~ 1500 об/мин.
Шлифование проводят в 2 - 3 этапа, а полировку в 2 этапа:
предварительное шлифование SiC 14 мкм до 6-7 (удаляется 50 мкм, υ=1,5 мкм/мин);
основное шлифование SiC 10 мкм до 8-9 (удаляется 30 мкм, υ=1,0 мкм/мин);
окончательное шлифование α-Al2O3 M5 до 10 (удаляется 20 мкм, υ=0,17 мкм/мин). Алмазные круги сокращают время в 2,5 раза и используют в 2 этапа (АС-120 до 11);
предварительное полирование микропорошками АМ-3 и АСМ-3 (3мкм) на батисте до 13 (удаляется 25 мкм, υ=0,7-1,0 мкм/мин).
окончательное полирование микропорошком АМ-1 (АСМ-1) или пастами АП-1 на искусственной замше до 14 (удаляется 5 мкм, υ=0,8-1,0 мкм/мин). Поверхности 13-14 класса контролируются интерференционным способом с помощью МИИ - 4 (измерительный интерференционный микроскоп Линника).
- Оглавление
- Классификация мэт
- Проводниковые материалы
- Физическая природа электропроводности металлов
- Зависимость электропроводности металлов от температуры и примеры
- Электрические свойства металлических сплавов
- Сопротивление проводников на высоких частотах
- Сопротивление тонких металлических плёнок. Размерный эффект
- Контактные явления в металлах
- Материалы высокой проводимости. Медь
- Алюминий
- Сверхпроводящие металлы и сплавы
- Специальные сплавы
- Сплавы для термопар
- Сплавы для корпусов приборов
- Тугоплавкие металлы
- Благородные металлы
- Неметаллические проводящие материалы
- Полупроводники. Классификация полупроводниковых материалов
- Собственные и примесные полупроводники
- Температурная зависимость концентрации носителей заряда.
- Подвижность носителей заряда в полупроводниках
- Электрофизические явления в полупроводниках.
- Кремний
- Физико-химические и электрические свойства Si
- Марки кремния.
- Германий
- Физико-химические и электрические свойства германия
- Карбид кремния (SiC)
- Полупроводниковые соединения аiii вv
- Твердые растворы на основе аiii вv
- Полупроводниковые соединения aiibvi и трз на их основе
- Полупроводниковые соединения aivbvi и трз на их основе
- Диэлектрики, классификация, основные свойства
- Электропроводность диэлектриков
- Потери в диэлектриках
- Пробой диэлектриков
- Полимеры в электронной технике
- Композиционные пластмассы и пластики
- Электроизоляционные компаунды
- Неорганические стекла
- Ситаллы
- Керамики
- Активные диэлектрики
- Сегнетоэлектрики
- Пьезоэлектрики
- Пироэлектрики
- Электреты
- Жидкие кристаллы
- Материалы для твердотельных лазеров
- Магнитные материалы. Их классификация
- Магнитомягкие материалы
- Магнитотвердые материалы
- Технология получения материалов электронной техники Методы получения тонких пленок
- Вакуумные методы. Термическое вакуумное напыление.
- Кинетика процесса конденсации. Роль подложки
- Создание вакуума в вакуумных установках
- Измерение вакуума
- Вакуумные установки термического напыления
- Катодное вакуумное распыление (диодное)
- Ионно - плазменное распыление
- Эпитаксиальные процессы в технологии материалов электронной техники
- Механизм процесса эпитаксии
- Автоэпитаксия кремния
- Гетероэпитаксия кремния
- Эпитаксия полупроводниковых соединений аiiibv и трз на их основе
- Температурно - временной режим эпитаксии
- Эпитаксия SiC
- Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев
- Элионные технологии
- Ионно-лучевые установки
- Механическая обработка полупроводниковых материалов
- Шлифование и полирование пластин
- Химическая обработка поверхности полупроводника
- Методы отчистки поверхности
- Фотолитография (операции, материалы)
- Нанотехнология, определения и понятия
- Инструменты для измерения наноструктур
- Наноструктуры и наноустройства
- Методы нанотехнологий