13.2. Термоэлектронная эмиссия. Электрический ток в вакууме.
Если сообщить электронам в металлах энергию, необходимую для преодоления работы выхода, то часть электронов может покинуть металл, в результате чего наблюдается явление испускания электронов, или электронной эмиссии. В зависимости от способа сообщения электронам энергии различают термоэлектронную, фотоэлектронную, вторичную электронную и автоэлектронную эмиссии.
1. Термоэлектронная эмиссия — это испускание электронов нагретыми металлами. Концентрация свободных электронов в металлах достаточно высока, поэтому даже при средних температурах вследствие распределения электронов по скоростям (по энергии) некоторые электроны обладают энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера на границе металла. С повышением температуры число электронов, кинетическая энергия теплового движения которых больше работы выхода, растет, и явление термоэлектронной эмиссии становится заметным.
Исследование закономерностей термоэлектронной эмиссии можно провести с помощью простейшей двухэлектродной лампы — вакуумного диода, представляющего собой откачанный баллон, содержащий два электрода: катод К и анод А. В простейшем случае катодом служит нить из тугоплавкого металла (например, вольфрама), накаливаемая электрическим током. Анод чаще всего имеет форму металлического цилиндра, окружающего катод. Если диод включить в цепь, как это показано на рис. 13.1, то при накаливании катода и подаче на анод положительного напряжения (относительно катода) в анодной цепи диода возникает ток. Если поменять полярность батареи Ба, то ток прекращается, как бы сильно катод ни накаливали. Следовательно, катод испускает отрицательные частицы — электроны. Если поддерживать температуру накаленного катода постоянной и снять зависимость анодного тока Iа от анодного напряжения Ua — вольт-амперную характеристику (рис.13.2), то оказывается, что она не является линейной, т. е. для вакуумного диода закон Ома не выполняется. Зависимость термоэлектронного тока I от анодного напряжения в области малых положительных значений U описывается законом трех вторых (установлен русским физиком С. А. Богуславским (1883— 1923) и американским физиком И. Ленгмюром (1881 — 1957)):
I=BU3/2,
где В — коэффициент, зависящий от формы и размеров электродов, а также их взаимного расположения.
При увеличении анодного напряжения ток возрастает до некоторого
максимального значения Iнас, называемого током насыщения. Это означает, что почти все электроны, покидающие катод, достигают анода, поэтому дальнейшее увеличение напряженности поля не может привести к увеличению термоэлектронного тока. Следовательно, плотность тока насыщения характеризует эмиссионную способность материала катода.
Плотность тока насыщения определяется формулой Ричардсона — Дешмана, выведенной теоретически на основе квантовой статистики:
jнас=CT2e-A/(kT).
где А — работа выхода электронов из катода, Т — термодинамическая температура, С — постоянная, теоретически одинаковая для всех металлов. На рис.13.2 представлены вольт-амперные характеристики для двух температур катода: T1 и Т2, причем T2>T1. С повышением температуры катода испускание электронов с катода интенсивнее, при этом увеличивается и ток насыщения. При Ua=0 наблюдается анодный ток, т. е. некоторые электроны, эмиттируемые катодом, обладают энергией, достаточной для преодоления работы выхода и достижения анода без приложения электрического поля.
Явление термоэлектронной эмиссии используется в приборах, в которых необходимо получить поток электронов в вакууме, например в электронных лампах, рентгеновских трубках, электронных микроскопах и т. д. Электронные лампы широко применяются в электро- и радиотехнике, автоматике и телемеханике для выпрямления переменных токов, усиления электрических сигналов и переменных токов, генерирования электромагнитных колебаний и т. д. В зависимости от назначения в лампах используются дополнительные управляющие электроды.
2. Фотоэлектронная эмиссия — это эмиссия электронов из металла под действием света, а также коротковолнового электромагнитного излучения (например, рентгеновского). Основные закономерности этого явления будут разобраны при рассмотрении фотоэлектрического эффекта.
3. Вторичная электронная эмиссия — это испускание электронов поверхностью металлов, полупроводников или диэлектриков при бомбардировке их пучком электронов. Вторичный электронный поток состоит из электронов, отраженных поверхностью (упруго и неупруго отраженные электроны), и «истинно» вторичных электронов — электронов, выбитых из металла, полупроводника или диэлектрика первичными электронами.
Отношение числа вторичных электронов n2 к числу первичных п1, вызвавших эмиссию, называется коэффициентом вторичной электронной эмиссии:
=n2/n1.
Он зависит от природы материала поверхности, энергии бомбардирующих частиц и их угла падения на поверхность. У полупроводников и диэлектриков его значение больше, чем у металлов. Это объясняется тем, что в металлах, где концентрация электронов проводимости велика, вторичные электроны, часто сталкиваясь с ними, теряют свою энергию и не могут выйти из металла. В полупроводниках и диэлектриках же из-за малой концентрации электронов проводимости столкновения вторичных электронов с ними происходят гораздо реже и вероятность выхода вторичных электронов из эмиттера возрастает в несколько раз.
Явление вторичной электронной эмиссии используется в фотоэлектронных умножителях (ФЭУ), применяемых для усиления слабых электрических токов.
4. Автоэлектронная эмиссия — это эмиссия электронов с поверхности металлов под действием сильного внешнего электрического поля. Эти явления можно наблюдать в откачанной трубке, конфигурация электродов которой (катод — острие, анод — внутренняя поверхность трубки) позволяет при напряжениях примерно 103 В получать электрические поля напряженностью примерно 107 В/м. При постепенном повышении напряжения уже при напряженности поля у поверхности катода примерно 105—106 В/м возникает слабый ток, обусловленный электронами, испускаемыми катодом. Сила этого тока увеличивается с повышением напряжения на трубке. Токи возникают при холодном катоде, поэтому описанное явление называется также холодной эмиссией. Объяснение механизма этого явления возможно лишь на основе квантовой теории.
- Кафедра физики
- Содержание
- Предисловие
- Методические рекомендации по изучению дисциплины
- Перечень
- 2. Краткий курс лекций
- 1.2. Кинематика материальной точки
- Лекция № 2
- 2.1. Первый закон Ньютона. Инерция, сила. Инерциальные системы отсчета.
- 2.2. Второй закон Ньютона. Масса.
- 2.3. Третий закон Ньютона.
- 2.4. Импульс. Закон сохранения импульса.
- 2.5. Силы в природе.
- 2.6. Реактивное движение. Уравнение движения тела переменной массы.
- 2.7. Работа и мощность
- 2.8. Энергия. Закон сохранения энергии
- Лекция № 3
- 3.1. Понятие абсолютно твердого тела. Поступательное и вращательное движение тела. Центр масс.
- 3.2. Момент силы.
- 3.3. Вращение твердого тела вокруг неподвижной оси, его момент инерции и кинетическая энергия.
- 3.4. Момент импульса. Закон сохранения момента импульса. Второй закон динамики для вращательного движения.
- Лекция № 4
- 4.1. Описание движения жидкости и газа. Вязкость жидкостей и газов.
- 4.2. Уравнение неразрывности.
- 4.3. Уравнение Бернулли и выводы из него
- Лекция №5
- 5.1. Гармонические колебания.
- 5.2. Сложение гармонических колебаний.
- 5.3. Сложение перпендикулярных колебаний.
- 5.4. Дифференциальное уравнение колебаний.
- 5.5. Энергетические соотношения в колебательных процессах.
- 5.6. Колебания математического и физического маятников
- 5.7. Уравнение вынужденных колебаний. Резонанс
- Лекция №6
- 6.1.Волны в упругих средах и их виды. Фронт волны, плоские и сферические волны.
- 6.2. Энергия волны
- 6.3. Упругие волны в твердом теле
- Лекция №7
- 7.1. Основные положения мкт.
- Агрегатные состояния вещества
- 7.2. Опытные законы идеального газа
- Закон Авогадро
- 7.3. Уравнение состояния идеального газа
- 7.4. Основное уравнение молекулярно-кинетической теории идеального газа.
- 7.5. Закон Максвелла для распределения молекул по скоростям.
- 7.6. Барометрическая формула. Распределение Больцмана
- Лекция №8
- 8.2. Столкновения молекул и явления переноса в идеальном газе
- 8.3. Среднее число столкновений и среднее время свободного пробега молекул
- 8.4.Средняя длина свободного пробега молекул
- 8.5. Диффузия в газах
- 8.6. Вязкость газов
- 8.7. Теплопроводность газов
- 8.8. Осмос. Осмотическое давление
- Лекция №9
- 9.1.Распределение энергии по степеням свободы молекул
- 9.2. Внутренняя энергия
- 9.3. Работа газа при его расширении
- 9.4. Первое начало термодинамики
- 9.5. Теплоемкость. Уравнение Майера
- 9.6. Адиабатный процесс
- 9.7. Политропический процесс
- 9.8. Принцип действия тепловой машины. Цикл Карно и его кпд.
- 9.9. Энтропия. Физический смысл энтропии. Энтропия и вероятность.
- 9.10. Второе начало термодинамики и его статистический смысл.
- Лекция №10
- 10.1. Реальные газы, уравнение Ван-дер-Ваальса.
- Уравнение Ван-дер-Ваальса неплохо качественно описывает поведение газа при сжижении, но непригодно к процессу затвердевания.
- 10.2.Основные характеристики и закономерности агрегатных состояний и фазовых переходов.
- Фазовые переходы второго рода. Жидкий гелий. Сверхтекучесть
- 10.3. Поверхностное натяжение жидкости. Давление Лапласа.
- 10.4. Капиллярные явления
- 10.5. Твёрдые тела
- Дефекты в кристаллах
- Тепловые свойства кристаллов
- Жидкие кристаллы
- Лекция №11
- 11.1. Электрические свойства тел. Электрический заряд. Закон сохранения заряда
- 11.2. Закон Кулона
- 11.3. Электростатическое поле. Напряженность электрического поля. Силовые линии поля.
- 11.4. Электрический диполь
- 11.5. Поток вектора напряженности. Теорема Остроградского-Гаусса
- 11.6. Работа сил электростатического поля по перемещению зарядов.
- 11.6. Потенциал. Разность потенциалов. Потенциал точечного заряда, диполя, сферы.
- 11.7. Связь между напряженностью электрического поля и потенциалом
- 11.8. Типы диэлектриков. Поляризация диэлектриков.
- 11.9. Теорема Остроградского-Гаусса для поля в диэлектрике. Связь векторов - смещения, - напряженности и - поляризованности
- 11.10. Проводники в электростатическом поле
- 11.11. Проводник во внешнем электростатическом поле. Электрическая емкость
- 11.12. Энергия заряженного проводника, системы проводников и конденсатора
- Лекция №12
- 12.1. Электрический ток. Сила и плотность тока.
- 12.2. Электродвижущая сила источника тока. Сторонние силы. Напряжение
- 12.3. Закон Ома для однородного участка цепи. Сопротивление проводников.
- 12.4. Закон Ома для неоднородного участка цепи
- 12.5. Закон Джоуля – Ленца. Работа и мощность тока.
- 12.6. Правила Кирхгофа
- Лекция №13
- 13.1. Классическая теория электропроводности металлов
- 13.2. Термоэлектронная эмиссия. Электрический ток в вакууме.
- 13.3. Электрический ток в газах. Виды газового разряда.
- Самостоятельный газовый разряд и его типы
- Лекция №14
- 14.1. Магнитное поле. Магнитное взаимодействие токов. Закон Ампера. Вектор магнитной индукции.
- 14.2. Закон Био-Савара-Лапласа. Магнитное поле прямолинейного и кругового токов.
- 14.3. Циркуляция вектора магнитной индукции. Поле соленоида и тороида
- 14.4. Магнитный поток. Теорема Гаусса
- 14.5. Работа перемещения проводника и рамки с током в магнитном поле
- 14.6. Действие магнитного поля на движущийся заряд. Сила Лоренца
- 14.7. Магнитное поле в веществе. Намагниченность и напряженность магнитного поля.
- 14.8. Закон полного тока для магнитного поля в веществе
- 14.9. Виды магнетиков
- Лекция 15
- 15.1. Явление электромагнитной индукции.
- 15.2. Явление самоиндукции
- 15.3. Энергия магнитного поля
- 15.4. Электромагнитная теория Максвелла.
- 1) Первое уравнение Максвелла
- 2) Ток смешения. Второе уравнение Максвелла
- 3)Третье и четвертое уравнения Максвелла
- 4)Полная система уравнений Максвелла в дифференциальной форме
- 15.5. Переменный ток
- Лекция № 16
- 16.1. Основные законы геометрической оптики. Полное внутренне отражение света.
- 16.2. Отражение и преломление света на сферической поверхности. Линзы.
- 16.3. Основные фотометрические величины и их единицы
- 17.1.Интерференция света. Когерентность и монохроматичность световых волн. Оптическая длина пути и оптическая разность хода лучей.
- 17.2. Способы получения интерференционных картин.
- 17.3. Интерференция в тонких пленках.
- 17.4. Просветление оптики
- 17.5. Дифракция света и условия ее наблюдения. Принцип Гюйгенса-Френеля. Дифракционная решетка. Дифракция на пространственной решетке. Формула Вульфа-Бреггов
- 17.6. Дифракция Френеля от простейших преград.
- 17.7. Дифракция в параллельных лучах (дифракция Фраунгофера)
- 17.8. Дифракция на пространственных решетках. Формула Вульфа-Бреггов.
- 17.9. Поляризация света. Естественный и поляризованный свет.
- 17.10. Поляризация света при отражении и преломлении. Закон Брюстера.
- 17.11.Поляризация при двойном лучепреломлении.
- 17.12. Вращение плоскости поляризации.
- 17.13. Дисперсия света. Поглощение (абсорбция) света.
- Лекция №18
- 18.1. Квантовая природа излучения. Тепловое излучение и его характеристики. Закон Кирхгофа. Законы Стефана-Больцмана и Вина.
- 18.2.Виды фотоэлектрического эффекта. Законы внешнего фотоэффекта. Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта.
- 18.3. Масса и импульс фотона. Давление света. Эффект Комптона.
- Лекция №19
- 19.2.Линейчатый спектр атома водорода.
- 19.3. Постулаты Бора. Опыты Франка и Герца.
- Лекция №20
- 20.1.Атомное ядро.
- 20.2.Ядерные силы.
- 20.3.Энергия связи ядер. Дефект массы.
- 20.4.Реакции деления ядер.
- 2.5.Термоядерный синтез.
- 20.6.Радиоактивность. Закон радиоактивного распада.
- План-график самостоятельной работы
- План-график проведения лабораторно-практических занятий
- Перечень вопросов для подготовки к коллоквиуму Механика
- Формулы
- Определения
- Вопросы к экзамену
- Правила и образец оформления лабораторной работы