logo search
Пособие полное (исправленное)

8.2. Расчёт нелинейных резистивных цепей по постоянному току

Графические зависимости токов и напряжений нелинейных радиоэлементов резистивного типа называются вольтамперными характеристиками, как и у линейных резисторов. Для двухполюсных радиоэлементов в справочных данных приводятся входные ВАХ, а для четырёхполюсных – могут приводиться входные, выходные, переходные ВАХ.

При расчёте нелинейных цепей по постоянному току для выбранной рабочей точки на вольтамперных характеристиках по законам цепей определяются номиналы резисторов, задающих эту рабочую точку. В дальнейшем на цепь могут подаваться , в общем случае, переменные сигналы, т.е. в этом расчёте используются "статические" параметры нелинейного элемента.

Расчёт по постоянному току для одной рабочей точки является расчётом "линейной" цепи и проводиться непосредственно по схеме электрической принципиальной, без составления схемы замещения. Фрагмент принципиальной электрической схемы усилителя, а также входные м выходные ВАХ приведены на рисунке 8.1, а, б, в. ( транзистор – КТ301 ).

Iб,мА

Uкэ=5В

+

0,10

0,075

0,05

0,025

0,5 0,7 0,9 1,0 Uбэ

а) б)

Iк,мА

2,5 0,125

2,0 0,1

1,5 0,075

1 0,05

0,5 Iб = 0,025 мА

2,5 5 7,5 10 Uкэ, В

в)

Рис. 8.1

Для обоснованного расчёта необходимо иметь представление о некоторых сведениях по транзисторной электронике:

Для показанной на рис. 8.1 б, в рабочей точки "В" номиналы резисторов при известном напряжении источника питания определяются по закону Кирхгофа:

E = Ik(в)R2 + Ukэ(в) , (8.1)

E = Iб(в) R1 + Uбэ(в) . (8.2)

Например, при = 10 В, = 5 кОм- сопротивление в цепи коллектора, = 185 кОм- сопротивление в цепи базы. Расчёты подобных цепей по постоянному току могут проводиться без ВАХ, приближённо. В этом случае в выражении (8.1) выбираются две величины (планируемый режим работы) для определения одной неизвестной. Затем определяется необходимый для этого режима базовый ток

, (8.3)

где - справочный коэффициент усиления транзистора по току. На последнем этапе по выражению (8.2) определяется сопротивление в цепи базы, причём напряжение "база - эмиттер" может быть выбрано приближённо соответствующим типовому режиму (для германиевых транзисторов – 0.4 В, для кремниевых – 0.6 В).