§ 2. Типы химических связей

Металлическая связь приводит к такому энергетическому спектру валентных электронов, когда в твердом теле одна из зон, возникающих из уровней электронов свободных атомов, оказывается во всем интервале существования твердого тела заполненной электронами лишь частично (точнее, лишь часть состояний в зоне оказывается занятой). Металлическая связь возникает в результате взаимодействия валентных электронов и ионного остова, при этом валентные электроны в большинстве случаев делокализованы и принадлежат всей решетке. В простейших случаях (например, для простых металлов, расположенных в IA подгруппе) модель металлического кристалла выглядит следующим образом: ионный остов погружен в «электронную жидкость». В распределении электронной плотности в геометрическом пространстве, как правило, нет заметной анизотропии. Связи в простых А – металлах построены проще, чем в переходных металлах и следующих за ними металлах с заполненными d и f подоболочками и расположенными в B – подгруппах. Энергия связи у простых A – металлов, как правило, заметно ниже, чем у переходных металлов и В-металлов, расположенных в том же периоде (см. табл. 2.1).

Кроме того, у простых металлов и неметаллов прочность связей в пределах одной подгруппы понижается с увеличением номера периода, а у переходных металлов, как правило, наоборот, повышается.

Ковалентные связи также результат взаимодействия валентных электронов и ионного остова твердого тела. Ковалентная связь осуществляется парой валентных электронов с противоположно направленными спинами, причем в случае чистых веществ эти электроны принадлежат разным атомам. При возникновении ковалентной связи орбиты валентных электронов, участвующих в образовании связей, перекрываются, при этом, чем больше перекрытие, тем прочнее связь. Для ковалентной связи характерно анизотропное распределение плотности валентных электронов. В геометрическом пространстве (ковалентная связь – направленная связь). Валентные электроны (точнее, электроны, участвующие в образовании связей) делокализованы (не принадлежат отдельным атомам), но при этом вероятность пребывания их в различных областях кристаллической решетки различна: максимальная вероятность (максимальная плотность валентных электронов) обнаружена в направлениях кратчайших межатомных расстояний.

Ковалентные связи являются насыщенными в том смысле, что не могут возникнуть ординарные ковалентные связи с числом электронов, большим, чем два.

Ковалентная связь приводит к такому энергетическому спектру валентных электронов, когда одна из зон, возникших из уровней электронов свободных атомов, при 0 К оказывается полностью свободной (зона проводимости), при этом она отделена энергетической щелью (запрещенная зона) от полностью занятой зоны (валентная зона).

Кристаллы, в которых реализуются ионные связи, состоят из положительно и отрицательно заряженных ионов (рис. 2.4.).

Ионная связь обеспечивается в основном силами электростатического притяжения (кулоновскими силами), возникающими между разноименно заряженными ионами. При этом ионы достраивают свою внешнюю электронную оболочку до устойчивой конфигурации – электронной оболочки ближайшего в периодической системе инертного газа – присоединением недостающих электронов (анионы) или отдачей электронов (катионы). Следует подчеркнуть, что полное разделение положительных и отрицательных зарядов, т.е. идеальная ионная связь, никогда не осуществляется. Из-за волновых свойств электронов вероятность нахождения

Рисунок 2.4. – Структура кристалла NaCl (а) и схема распределения электронной плотности в NaCl (б)

валентных электронов вблизи ядра катиона мала, но никогда не бывает равна нулю. Поэтому в ионных кристаллах наряду с электростатическим притяжением заряженных ионов силы связи обусловлены и перекрытием электронных орбит валентных электронов. Межатомные (межионные) расстояния в ионных кристаллах, а, следовательно, их ионные радиусы, определяются уравновешиванием сил притяжения между анионами и катионами и сил отталкивания между их электронными оболочками.

Важная особенность ионной связи – ее поляризуемость, вызванная полиризуемостью ионов. Это связано с тем, что центры тяжести отрицательного и положительного зарядов иона не совпадают. Поляризуемость характеризуется дипольным моментом М, пропорциональным напряженности электрического поля и разным произведению заряда Z_e на дипольное расстояние d между центрами положительного и отрицательного зарядов иона (рис. 2.5.):

М = α *Е = Zed,

где α* – коэффициент пропорциональности, называемой поляризуемостью; Е – напряженность электрического поля, возникающая в ионе при смещении зарядов.

Рисунок 2.5. – Схема поляризации ионов: К – катион (положительный заряд иона); А – анион (отрицательный заряд иона)

Значение поляризуемости α приблизительно постоянно для данного иона. Чем больше радиус иона, тем легче он поляризуется. Поэтому анионы в общем случае поляризуются сильнее, чем катионы. Ниже приведены значения α для некоторых ионов, расположенных в 1А (Li⁺, K⁺) и VIВ подгруппах (^О2-, S^e2-, T^e2-), подтверждающих это положение:

Приведенные данные показывают, что в пределах подгруппы с ростом радиуса иона значение поляризуемости растет.

Структура ионных кристаллов, а, следовательно, и значения координационных чисел зависят от относительных размеров аниона и катиона.

Условие устойчивости структуры заключается в том, чтобы каждый ион соприкасался с ионами противоположного знака (рис. 2.6). Когда ион соприкасается одновременно с ионами того же и противоположного знака, структура менее устойчива. Наконец, если размер малого иона меньше размера (поры) между соприкасающимися крупными ионами противоположного знака, структура получается неустойчивой и перестраивается в такую, в которой выполняется указанное выше условие (рис. 2.6.).

Рисунок 2.6. – Устойчивость структур ионных кристаллов в зависимости от относительных размеров аниона (Л) и катиона (к). Устойчивость структур уменьшается в направлении а б в

Поэтому для ионных кристаллов существуют пределы устойчивости структур с различными координационными числами. Значения этих пределов определяются из простых геометрических соотношений. Ниже приведены предельные значения отношения ионных радиусов, возможные для структур с разными координационными числами:

Энергия кристаллической решетки в случае ионных кристаллов практически полностью определяется силами кулоновского взаимодействия (кулоновская энергия или энергия Маделунга) и может быть определена из выражения

(2.1)

где α – постоянная Маделунга, учитывающая вклад в энергию кристаллической решетки взаимодействия ионов, расположенных в нескольких ближайших к рассматриваемому иону координационных сферах; N – число ионов в одной молекуле, равное числу N_А, умноженному на число ионов (∑m) в молекуле (см. ниже); _Z1, Z₂ – валентности взаимодействующих ионов; _R0 – расстояние от рассматриваемого иона до ионов первой координационной сферы.

Постоянная Маделунга в теории ионной связи играет важную роль. Рассмотрим ее вычисление на примере NaCL. В качестве иона, относительно которого ведется расчет, выберем ион натрия (заряд его равен +е). Ион натрия (см. рис. 2.4, а) окружен шестью отрицательными ионами хлора (первая координационная сфера), находящимися на расстоянии R, двенадцатью положительными ионами натрия (вторая координационная сфера) на расстоянии R , восемью отрицательными ионами хлора (третья координационная сфера) на расстоянии R , шестью положительными ионами натрия (четвертая координационная сфера) на расстоянии R ; двадцатью четырьмя отрицательными ионами хлора (пятая координационная сфера), находящимися на расстоянии R и т.д. Ясно, что размещение ионов в координационных сферах зависит от типа решетки. Аналогичный подсчет был бы получен, если в качестве иона, относительно которого проводят расчет, был бы выбран ион хлора Cl^-.

Энергия связи одного иона в решетке NaС1 с учетом кулоновского взаимодействия равна:

Знакопеременный ряд, стоящий в скобках, и есть постоянная Маделунга α для NаС1. По существу постоянная Маделунга учитывает застройку координационных сфер и расстояние между координационными сферами. Величина членов ряда, образующего постоянную Маделунга, определяется структурой кристаллической решетки, а сумма ряда имеет определенную величину. Ниже приведены значения постоянной Маделунга α и величины Σm для ряда кристаллических структур:

В таблице 2.2. приведены рассчитанные и экспериментально определенные значения энергий кристаллических решеток (энергий связи) для некоторых ионных кристаллов.

Таблица 2.2. Значения энергий связи щелочно-галоидных кристаллов со структурой хлористого натрия

Поляризационная связь (или связь типа Ван-дер-Ваальса) наблюдается в молекулярных кристаллах, а также в кристаллах некоторых полупроводников и диэлектриков (наряду с другими типами связи). К молекулярным кристаллам относятся кристаллы инертных газов Nе, Аг, Кг, Хе, а также кристаллы I₂, Cl₂, O₂, HCl, HBr, H₂O, CO, NH₃ и ряда других веществ. В большинстве молекулярных кристаллов (например, в I₂, Cl₂, O₂, HCl и др.) следует различать два типа связей: внутримолекулярные и межмолекулярные. Межмолекулярные связи, а также связи между атомами инертных газов в кристаллах и являются связями типа Ван-дер-Ваальса. Как правило, эти связи намного слабее внутримолекулярных, однако они определяют ряд важных свойств, в частности температуру плавления молекулярного кристалла. В основе связей типа сил Ван-дер-Ваальса лежит поляризация молекул, образующих молекулярный кристалл.

Ниже приведены некоторые свойства молекулярных кристаллов, рассчитанные по формуле (2.2):

Поляризация и дипольный момент в этом случае возникает вследствие того, что при тепловых колебаниях атомов, образующих молекулы, центры тяжести положительных зарядов (ядер) и отрицательных зарядов (электронов), имеющих разную массу и, следовательно, инерцию, оказываются смещенными друг относительно друга.

На рисунке 2.7. схематично показаны основные типы химических связей в кристаллах твердых веществ.

Рисунок 2.7. – Основные типы связей в кристаллах: а – ван-дер-Ваальсовая; б – ионная; в – металлическая; г – ковалентная

Энергию решетки кристалла с ван-дер-ваальсовой связью рассчитывают по формуле:

Е_р = U_0Т + U₁ + U₂+ U₃ (2.2)

где U_0Т – энергия отталкивания молекул [U_0Т = – b ехр(– R_о/ρ), в которой R_о – расстояние между центрами молекул, b и ρ – константы, определяемые эмпирически]; U_1,U_2,U₃ – энергии притяжения, связанные с дипольным взаимодействием молекул; U₁ – энергия ориентационного взаимодействия, вызванная собственным дипольным электрическим моментом молекул (U₁=– , где А зависит от величины дипольного момента и температуры); U₂ – энергия индукционного взаимодействия, вызванная дипольными моментами молекул, наведенными под воздействием окружающих молекул (U₂= – , где В зависит от величины наведенного дипольного момента, температуры и поляризуемости молекул); U₃ – энергия дисперсионного взаимодействия, вызванная флуктуационным появлением дипольного момента у молекулы, входящей в молекулярный кристалл, из-за случайного несовпадения «центров тяжести» электронов и заряда ядра (U₃= , где С зависит от температуры, поляризуемости молекул и собственной частоты колебаний молекул).