§ 3. Методы построения диаграмм фазовых равновесий

Фазовые равновесия можно описать как аналитически, так и графически. Для графического описания используют диаграммы фазовых равновесий (ДФР) или фазовые диаграммы (ФД), которые иногда не точно называют диаграммами состояния системы.

ДФР однокомпонентной системы представляет собой геометрическое изображение фазовых состояний, которые реализуются в однокомпонентной системе при тех или иных внешних параметрах. ДФР однокомпонентной системы строят в координатах давление-температура (Р – Т).

ДФР многокомпонентной системы (К>1) представляют собой геометрическое изображение фазовых состояний (равновесий и превращения фаз), которые реализуются при тех или иных параметрах в результате взаимодействия компонентов, входящих в систему. ДФР многокомпонентной системы строят в координатах Р – Т – Х, где Х – концентрация компонента.

Каждая точка ДФР характеризует параметры физико-химических систем, образующиеся в результате взаимодействия компонентов, слагающих ДФР.

ДФР могут быть 2-х мерными, 3-хмерными т.д. С помощью ДФР для данных условий можно определить:

1) число фаз в системе;

2) относительное количество каждой из фаз;

3) состав каждой фазы и ее природу, (т.е. чистый компонент, раствор, соединение и т.д.)

4) характер фазовых превращений.

Следует иметь в виду, что ДФР без специальных пояснений не дает информацию об атомном строении фаз и их кристаллической решетке. ДФР может считаться полностью достоверной только после того, как с помощью рентгеноструктурного анализа (РСА) расшифровано атомное строение каждой из фаз данной системы.

Основной метод построения ДФР – метод физико-химического анализа, основы которого были разработаны академиком Курнаковым Н.С. (ИОНХ РАН им. Курнакова). В основе физико-химического анализа лежит изучение функциональной зависимости между значениями физических свойств и параметрами Т, Р, Х. Знание этих зависимостей позволяет установить физико-химическую природу фаз и границ их существования. Физические свойства определяются из зависимостей f(T), f(P), f(Х).

Экспериментальные методы, используемые для построения ДФР.

1. Термографический анализ (дифференциально-термический анализ - ДТА).

2. Микрорентгеноспектральный анализ.

3. Рентгеноструктурный (рентгенографический) анализ (РСА, РФА). Также используется электронная микроскопия (ЭМ) и нейтронография (НГ).

4. Дилатометрический анализ (измерение плотности) и др.

Сущность термографического (ДТА) и дилатометрического методов построения ДФР заключается в том, что для сплава данного состава температуры фазовых превращений («критические точки») определяются по скачкообразному изменению энтальпии Н (Н – теплота плавления) или объема (V) системы на зависимостях Т = f (t) – времени или Т = f(V) в процессе охлаждения или нагревания сплава. Т.е. определяют критические точки для серии сплавов, затем строят всю диаграмму. Этими методами определяются фазовые переходы I-го рода, так как при любых других фазовых превращениях термодинамические потенциалы (G, F, H) меняются без скачка, т.к. при равновесной температуре превращения их значения для старой и новой фаз равны.

Фазовые переходы. Фазовые переходы бывают I-го и II-го рода. К фазовым переходам первого рода относятся такие переходы, при которых термодинамические потенциалы G, F, H меняются без скачка, но скачкообразно меняются при температуре фазового перехода первые (частные) производные от термодинамических потенциалов (при этом большинство превращений является аллотропическими (плавление и т.п.)) (G=H-TS=PV–TS): ; ; (3.13)

То есть фазовые превращения первого рода сопровождаются скачкообразным изменением энтальпии (Н), объема (V) и энтропии (S).

Фазовые переходы II-го рода

При некоторых реже встречающихся фазовых переходах из одного состояния в другое:

ф ерромагнитное парамагнитное;

с верхпроводящее несверхпроводящее;

у порядоченное неупорядоченное.

Первые производные изменяются непрерывно, но скачкообразно изменяются вторые производные термодинамических потенциалов.

; ; (3.14)

где β - коэффициент сжимаемости, (для твердых тел c_P ≈ c_V). Фазовые превращения, сопровождаемые скачкообразным изменением вторых производных термодинамических потенциалов называются фазовыми переходами II-го рода.

При фазовых переходах второго рода первые производные от термодинамических потенциалов изменяются непрерывно, но скачкообразно меняются вторые производные.

Распространенным методом физико-химического анализа является также построение диаграмм «состав – свойство». Для данного состава можно построить диаграммы:

т емпература – свойство;

давление – свойство.

Как показал Н.С. Курнаков и как подтверждает огромный фактический материал, в основе геометрического анализа диаграмм «состав – свойство» (или в общем случае «переменный фактор – свойство») лежат два общих принципа:

1) принцип непрерывности

2) принцип соответствия.

Согласно принципу непрерывности: при непрерывном изменении химического состава (или других переменных факторов – Т, Р), не сопровождающемся изменением фазового состава (числа фаз), непрерывно и плавно изменяются свойства системы.

Согласно принципу соответствия, каждой фазе и каждому фазовому равновесию отвечает определенный геометрический образ на диаграмме фазового равновесия (ДФР). Принцип соответствия более «емкий» принцип, чем принцип непрерывности.

В рамках принципа соответствия могут быть также сформулированы важные положения, облегчающие анализ фазовых диаграмм:

1. Все линии двойных диаграмм и поверхности тройных диаграмм ограничивают фазовые области, число фаз в которых различается между собой на единицу.

2. Все наклонные линии (поверхности) характеризуют предельную концентрацию основной легирующей примеси в фазе. Наклон линий (поверхностей) характеризует температурную зависимость этих предельных концентраций.

3. Мерность геометрических элементов, характеризующих то или иное фазовое равновесие, отвечает вариантности (С) соответствующего фазового равновесия. Пример: точки на диаграмме характеризуют составы фаз, претерпевающих моновариантное превращение.

4. Для сплава любого состава пересечение его ординатой (у) линий (поверхностей) на диаграмме в процессе охлаждения или нагрева сопровождается изменением фазового состава.

В таблице 3.1. указаны свойства материалов, наиболее часто используемые при построении ДФР.

Для получения надежных выводов о строении ДФР следует изучать не одно, а совокупность нескольких физических свойств. Важным методом определения числа фаз (Ф) и их количества (концентрации) является металлографический анализ.

Таблица 3.1. Свойства материалов, наиболее часто используемые при построении диаграмм фазовых равновесий

При анализе ДФР (диаграмм состояния) пользуются прежде всего правилом фаз Гиббса (С-вариантность системы или число степеней свободы, К – число компонент): С = К – Ф + 2.

а) При С = 0 – система нонвариантна. Система может существовать только при неизменных условиях. Изменение хотя бы одного из параметров системы вызовет изменение числа сосуществующих в равновесии фаз (Ф).

б) При С = 1 – система моновариантна (одновариантна). При этом только один параметр может быть изменен без одновременного изменения числа равновесных фаз и т.д.

в) При С = 2 – система дивариантна (двухвариантна). Два параметра могут быть изменены без одновременного изменения числа равновесных фаз.

Пример:

Задача: Рассмотреть кристаллизацию кремния (Si) при Р=const из его жидкого расплава, нагретого до 1500^оС. Т_плSi = 1412^oC. Определить значение С для разных фазовых областей.

Решение: Число внешних независимых переменных – (температура) равно – 1, число компонентов – 1. При охлаждении расплава от 1500⁰ С до 1412⁰ С система однофазна. Тогда

С=К-Ф+1=1-1+1=1,

то есть температура в этом интервале может изменяться без изменения числа фаз. При достижении Т=1412⁰ С появляется 2-ая (твердая) фаза, при этом

С=К-Ф+1=1-2+1=0,

то есть, пока будут сосуществовать две фазы, система нонвариантна. И температура не понизится, пока весь жидкий расплав закристаллизуется. Это значит, что при продолжающемся плавном снижении температуры нагревателя в физико-химической системе будет поддерживаться температура за счет выделения теплоты кристаллизации. На графике Т=f(τ) появится площадка Т=const, протяженность которой будет равна времени от начала до конца кристаллизации (τ-время).

Т⁰ С

1500⁰ С С=К-Ф+1=1-1+1=1

ж

С=К-Ф+1=1-2+1=0

1412⁰ С Ж+ Si

С=К-Ф+1=1-1+1=1

Si

τ, с

Что же поддерживает температуру системы Т=1412⁰ С в условиях, когда тепло непрерывно отводится внешней средой?

Источником поддержки температуры является выделяющаяся теплота кристаллизации.

При переходе вещества из одного фазового состояния в другое во внешнюю среду выделяется или из нее поглощается дополнительное количество энергии. Эта энергия называется теплотой фазового перехода и равна разности энтальпий старой и новой фаз.

Задание. Рассмотреть кристаллизацию германия (Ge) при Р=const из его жидкого расплава, нагретого до 1200^оС. Т_пл(Ge) = 940^oC. Определить значение С для разных фазовых областей.)

Следует различать 4 возможных случая фазовых переходов (превращений):

1. При переходе из твердого состояния в жидкое или наоборот выделяется теплота плавления или теплота кристаллизации:

Т вердая фаз жидкая фаза – теплота плавления (кристаллизации)

2. При переходе из одной твердой фазы в другую твердую фазу – выделяется теплота перекристаллизации.

Т вердая фаза твердая фаза II – теплота перекристаллизации

3. При переходе из твердого состояния в газообразное или наоборот выделяется теплота сублимации.

Т вердая фаза газ – теплота сублимации

4. При переходе из жидкого состояния в газообразное или наоборот выделяется теплота испарения.

Ж идкая фаза газ – теплота испарения

Для случая 1, 3, 4 – характерны значительно большие абсолютные величины тепловых эффектов, чем для случая 2. В таблице 3.2. приведены значения теплоты плавления некоторых элементов.

Таблица 3.2. Значения теплоты плавления некоторых элементов

Элемент	Нпл, кДж/моль	Элемент	Нпл, кДж/моль
Fe	15,50	Ge	37,08
W	35,28	Te	17,70
C	138,27	Se	6,70 ± 1,68
Si	49,86	S	1,72

§ 4. Т – Х диаграммы фазовых равновесий двойных систем с неограниченной растворимостью компонентов

Т–Х диаграммы состояния двойных систем строят в координатах температура (Т) – концентрация (Х). Концентрацию обычно откладывают в атомных процентах (ат.%), иногда пользуются процентами по массе.

Для систем, в которых одним из компонентов является полупроводник (химический элемент или соединение), наряду с диаграммами, построенными в обычном масштабе, строят диаграммы, на которых в области, примыкающей к полупроводнику, концентрацию легирующего компонента в ат.% наносят в логарифмическом масштабе (рис.3.1. в), либо строят отдельно часть диаграммы, примыкающую к полупроводниковому компоненту, откладывая концентрацию 2-го компонента в атомах на кубический сантиметр тоже в логарифмическом масштабе (рис.3.1. а).

Это вызвано тем, что концентрацию носителей заряда в полупроводниках измеряют в электронах (или дырках) на кубический сантиметр, и в тех случаях, когда легирующие добавки являются поставщиками носителей заряда, удобно концентрацию носителей и примесей измерять в одних единицах.

Кроме того, предельная растворимость примесей в полупроводниках, как правило, очень мала ~(0,1– 0,01) % ат. и реально используемое легирование по концентрации составляет (10¹⁴–10¹⁹) ат/см³, т.е. (10⁶–10^–1) % ат. В этих условиях важно показать на диаграммах фазовые области, в которых концентрация компонентов в области малых концентраций изменяется на порядок величины. Логарифмический масштаб позволяет это сделать, тогда, как в обычном масштабе область концентраций меньше 0,1 % сливается с осью ординат.

Пересчет концентраций компонентов из одного масштаба в другой (ат.% в % по массе) осуществляют по следующим формулам:

Г де Х₁ % (ат.) – атомные проценты компонентов 1 и 2

Х₂ % (ат.)

Х ₁ % (по массе) – проценты по массе компонентов 1 и 2

Х₂ % (по массе)

А ₁ – атомные массы компонентов 1 и 2

А₂

Х_ат/см³ – (обычно пишут Х_см^-3) количество атомов примеси в 1 см³

N – общее число атомов в 1 см³

N= , где n –число атомов в решетке, приходящихся на долю одной элементарной ячейки;

V – объем элементарной ячейки.

Задача. Подсчитать количество атомов, приходящихся на долю одной элементарной ячейки в решетках Браве.

На диаграмме фазового равновесия (ДФР) изображают фазовые области, отделенные одна от другой линиями диаграммы (рис.3.2).

Рисунок 3.2. – Типичная диаграмма фазовых равновесий двойной системы А–В с неограниченной растворимостью компонентов в жидком (Ж) и твердом (Тв) состояниях. В двухфазной области показана конода ab.

Любая точка на диаграмме может рассматриваться как фигуративная точка сплава, характеризующая его состояние. Проекция фигуративной точки на ось Х указывает состав (концентрацию) сплава. А проекция этой же точки на ось Т – температуру, при которой рассматривается этот сплав. Положение фигуративной точки также указывает на фазовый состав сплава при данной температуре.

Точки a и b – фигуративные точки фаз, точка m – фигуративная точка сплава. Если фигуративная точка находится в однофазной области, то состав фазы совпадает с составом сплава. Если фигуративная точка находится в пределах двухфазной области, то состав фаз, находящихся в равновесии при данной температуре, определяется с помощью конóды, проходящей через эту точку. Конóдой называется отрезок прямой, проведенной при постоянной температуре (т.е. изотерме) и заключенной в пределах двухфазной области. Конода пересекает границы этой области в точках, лежащих на сопряженных линиях и являющихся фигуративными точками фаз, находящихся в равновесии при данной температуре (точки а и b), т.е. конода соединяет точки, характеризующие составы фаз, находящихся в равновесии (ab – конода). Точки А' и В' на ДФР соответствуют температуре плавления чистых компонентов двойной системы А и В, соответственно.

Линия А'аВ', выше которой все сплавы находятся в жидком состоянии, называется линией ликвидуса (L): она представляет собой геометрическое место точек, характеризующих состав жидкой (Ж) фазы (раствора) предельной концентрации и температурную зависимость этой концентрации.

Линия А'bВ', ниже которой все сплавы находятся в твердом состоянии, называется линией солидуса (S): она представляет собой геометрическое место точек, характеризующих состав твердой (Тв) фазы (раствора) предельной концентрации и температурную зависимость этой концентрации.

Область между линиями ликвидуса и солидуса – 2-х фазная область сосуществования жидкой и твердой фаз (раствора).

Количественное соотношение фаз, находящихся в равновесии при данной температуре, определяется с помощью правила рычага: отношение массовых или объемных количеств Q-фаз, находящихся в равновесии при данной температуре, обратно пропорционально отношению отрезков коноды, заключенных между фигуративной точкой сплава и фигуративными точками соответствующих фаз.

Пример:

Рисунок 3.3. – Фазовая диаграмма с неограниченной растворимостью компонентов в твердом и жидком состояниях

При температуре t₁ сплав состава x_m состоит из двух фаз: жидкой фазы состава a (с концентрацией x_a) и твердой фазы состава b (с концентрацией x_b).

Количественное соотношение фаз равно:

QЖ(а) /QТв(b) = mb/(ma)

(3.19)

Здесь Q_Ж(а) – жидкая фаза состава а (Х_а)

Q_Тв(b) – твердая фаза состава в (Х_в)

Если известна полная масса или объем сплава Q_спл, то абсолютные количества жидкой Q_Ж и твердой Q_Тв фаз определяются из следующих соотношений:

QЖ(а) = Qспл mb /(ab)	(3.20) (3.21)
Qж(b) = Qспл ma /(ab)

Задание. Определить вариантность системы С (рис. 3.1) для: а) чистых компонентов А и В при температуре плавления; б) сплавов, находящихся в однофазных областях (жидкой и твердой); в) сплавов, находящихся в двухфазной области.

Рассмотрим в качестве примера кристаллизацию одного из сплавов реальной двухкомпонентной системы с неограниченной растворимостью – сплава Ge–Si, содержащего 70% Si (рис. 3.4).

Доля жидкой и твердой фаз, сосуществующих при каждой данной температуре, определяется по правилу рычага. Так, при температуре t₂

QТв/QЖ = (2 – с)/(2 – b)

(3.22)

Кроме того, в ходе кристаллизации от от t₁ до t₃ изменяется состав жидкой и твердой фаз. Если процесс идет с очень малой скоростью – так, что все превращения успевают совершиться в соответствии с фазовой диаграммой, то состав жидкой фазы изменяется по линии ликвидуса от точки 1 до точки d, а состав твердой фазы – по линии солидуса от точки а до точки 3, как показано стрелками.

Обе фазы - исчезающая в процессе кристаллизации, и возникающая - обогащаются в ходе кристаллизации одним и тем же компонентом, в рассматриваемом случае – Ge (германием). Это одновременное обогащение одним и тем же компонентом происходит за счет одновременного резкого уменьшения количества фазы, более богатой этим компонентом (в рассматриваемом случае жидкой фазы, более богатой германием). Отметим, что по окончании процесса кристаллизации, прошедшего в равновесных условиях, имеется только твердая фаза, при этом состав ее отвечает составу жидкого раствора (в рассмотренном примере это твердый раствор, содержащий 70 % Si).

Условия реализации ДФР с неограниченной растворимостью. Двойные системы А – В, компоненты А и В которых неограниченно растворяясь друг в друге в жидком и твердом состояниях, могут быть образованы как химическими элементами, так и соединениями. При этом оба компонента должны:

а) обладать одинаковым типом химической связи;

б) обладать одинаковым типом кристаллических решеток;

в) параметры элементарных ячеек (или атомные радиусы) не должны различаться (Δa, ΔR) более чем на (10-15)%;

г) иметь схожий потенциальный рельеф кристаллических решеток компонент. Такие растворы представляют собой изовалентные (с одинаковой валентностью) растворы замещения (табл. 3.3)

Таблица 3.3. – Двойные системы (металлические и полупроводниковые) с неограниченной растворимостью компонентов

Из элементарных алмазоподобных полупроводников диаграмму фазового равновесия с неограниченной растворимостью образуют только кремний и германий. Они полностью отвечают перечисленным выше требованиям. Кремний же и углерод (алмаз) отвечают требованиям по химической природе и типу решетки, но очень сильно различаются по размеру ковалентных тетраэдрических радиусов (R_Si = 0,117 нм, R_C = 0,077 нм; ΔR/R_Si =36 %). В связи с этим растворимость углерода в кремнии не превышает сотых долей процента, а кремния в углероде еще меньше.

Задание. Дать определение г.ц.к., о.ц.к., решетки алмаза, сфалерита, тетрадимита.

Применение твердых растворов с неограниченной растворимостью. Неограниченная растворимость - очень распространенное явление среди полупроводниковых соединений. Их образуют между собой очень многие соединения классов A^IIIВ^V, A^IIB^VI, A₂^VB₃^VI и др. (см. табл. 3.3). Такие твердые растворы находят широкое применение. Этому способствует то, что твердые растворы полупроводников, с неограниченной растворимостью позволяют получать сплавы с любыми значениями ширины запрещенной зоны, периода решетки (межатомных расстояний), коэффициентов термического расширения и ряда других параметров в пределах между их значениями для исходных компонентов.

Периоды решетки в первом приближении изменяются аддитивно (правило Вегарда), другие параметры – по более сложным законам.

Твердые растворы с неограниченной растворимостью (металлические и полупроводниковые) широко применяются:

1. Au-Cu, Ag-Cu – в контактах приборов;

2. Cu-Ni – в электровакуумных приборах;

3. Fe-Cr – в нержавеющих сплавах (вакуумные установки и т.д.);

4. Mb-W, Mb-Ti, V-Ti – тугоплавкие материалы;

5. Полупроводниковые твердые растворы – полупроводниковые термоэлементы, микроэлектроника, оптоэлектроника. Учитывая возможности, создаваемые твердыми растворами с неограниченной растворимостью, установление зависимостей их свойств от состава является важной материаловедческой задачей.