4.4. Отримання кристалів з газової фази
Вирощування кристалів з газової фази, як і вирощування з рідких розчинів, можна проводити при порівняно низьких температурах, що важливо при отриманні монокристалів з'єднань, які є тугоплавкими, плавляться інконгруентно або зазнають поліморфні перетворення. До переваг газофазних методів також відноситься можливість використання газоподібних компонентів або сполук для їх доставки до місця росту кристалу.
Метод сублімації-конденсації застосовується при отриманні монокристалічних діелектриків і напівпровідників, що мають високий тиск парів над розплавом, або в разі високої реакційної здатності речовини. У цих випадках вирощування проводиться в замкнених або проточних системах. Процес здійснюється сублімацією простої речовини або стійкого з'єднання і конденсації його пара на поверхні, що має більш низьку температуру. Для легколетких речовин цей метод використовується також як спосіб очищення. Залежно від газового середовища масоперенос в замкнутих системах здійснюється молекулярними пучками (в вакуумі), молекулярною або конвективною дифузією. При вирощуванні кристалів в проточних системах пари вихідної речовини переносяться в зону кристалізації потоком благородного газу. Газофазні методи отримання монокристалів в основному застосовуються для отримання тонких монокристалічних шарів. Це звичайно пов'язано з малими швидкостями монокристалічного росту і труднощами управління процесом.
- Посібник
- До вивчення дисципліни
- «Функіональні та інтелектуальні
- Матеріали»
- Базові принципи функціональної електроніки
- Основні галузі функціональної електроніки
- Мікроелектроніка
- Інтегральна
- Функціональна
- Класифікація матеріалів функціональної електроніки
- Агрегатний стан та різновиди матеріалів
- Тверде тіло
- Матеріали функціональної оелектроніки
- Структура матеріалів
- Структура
- Функціональні властивості матеріалів
- Функціонально активні матеріали
- Фізичні явища та особливі властивості матеріалів функціональної електроніки
- 2.1. Особливості електрофізичних та магнітних параметрів
- 2.1.1 Магнітні характеристики речовини
- 2.1.2. Електропровідність речовин
- Tип аiiiвv
- Tип аiiвvi
- 2.1.3. Діелектричні характеристики речовин
- Особливі властивості матеріалів функціональної електроніки
- 2.2.1. Поляризаційні ефекти неелектричного походження
- 2.2.2. Ефекти взаємодії світла із речовиною.
- Ефекти взаємодії різних чинників з речовиною.
- 3. Прилади та пристрої функціональної електроніки
- 3.1. Акустоелектроніка та акустооптика
- 3.2. Оптоелектроніка
- 3.3. Магнетоелектроніка та магнетооптика
- 3.4. Діелектроніка
- 3.5. Напівпровідникова та квантова електроніка (частково)
- 4. Технології одержання функціонально активних матеріалів
- 4.1 Класифікація методів вирощування кристалів
- 4.2. Отримання кристалів з твердої фази
- 4.3. Отримання кристалів з рідкої фази
- 4.3.1 Вирощування кристалів з розплаву
- 4.4. Отримання кристалів з газової фази
- 4.5. Епітаксія Для вирощуванні тонких кристалографічно орієнтованих шарів
- 4.5.1. Газофазна епітаксія
- Космичні технології
- Список використаної літератури