4.5. Епітаксія Для вирощуванні тонких кристалографічно орієнтованих шарів

монокристалів (плівок) на підкладках застосовуються епітаксіальні методи. Епітаксія - процес орієнтованого наростання, коли утворювана нова фаза закономірно продовжує кристалічну решітку фази-підкладки. Епітаксія можлива з будь-якої фази: газової, рідкої або твердої, але переважно використовуються методи газо-й рідиннофазної епітаксії. Вони застосовуються в технології виробництва мікроелектронних напівпровідникових та оптоелектронних приладів для отримання плівок і багатошарових структур. В даний час методами епітаксії отримують шари елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук, гранатів, ортоферитів та інших матеріалів.

Властивості епітаксійних шарів багато в чому визначаються умовами сполучення кристалічних граток шару, що зростає й підкладки, тобто структурою перехідного епітаксіального шару. Найлегше сполучаються речовини, кристалічні структури яких однакові або близькі. Епітаксія легко здійснюється, якщо різниця сталих кристалічних решіток становить не більше 10%. В цьому випадку перехідний епітаксійний шар має псевдоаморфну структуру. При великих розбіжностях сталих решіток сполучаються найбільш щільно упаковані площини.