2.1.1 Магнітні характеристики речовини
Первісною причиною наявності магнітних властивостей в усіх речовинах є внутрішні форми руху електричних зарядів (орбітальний рух електронів навколо ядер та електронні спіни, які являють собою замкнені струми, що мають елементарні магнітні моменти рml,, рms, відповідно). Макроскопічні прояви магнітних властивостей стають помітними при певній узгодженій орієнтації елементарних моментів рml та/або рms. За магнітними властивостями матеріали поділяються на діа-, пара- , феро-, антіферомагнетики та ферити.
Діамагнетиками називають речовини, в яких у відсутності зовнішнього магнітного поля орбітальні та спінові магнітні моменти є взаємно скомпенсованими. У зовнішньому магнітному полі з вектором індукції В0 (у вакуумі) діамагнетики намагнічуються проти нього (тобто набувають вектор намагніченості J, спрямований проти вектору В0). Магнітна проникність діамагнетиків μ ≤ 1 і є величиною, яка не залежить від температури та вектору В0.
До діамагнетиків належать інертні гази (Не, Ar та інші), метали (Au, Hg, Ag, Zn, Cu), вода, скло й ще багато сполук.
Парамагнетиками називають речовини, атоми (або молекули) яких мають некомпенсований результуючий магнітний момент рm. Величина рm залежить від будови атомів парамагнетика, є постійною величиною для нього і не залежить від зовнішнього магнітного поля. У відсутності зовнішнього магнітного поля тепловий рух атомів (молекул) протидіє виникненню упорядкованого розташування векторів рm окремих атомів (молекул), тобто внутрішнє магнітне поле відсутнє, вектор J = 0. У зовнішньому магнітному полі кожний вектор рm розташовується приблизно паралельно вектору В0, цьому протидіє у деякій мірі тепловий рух атомів (молекул). В цілому парамагнетик намагнічується за зовнішнім полем (набуває вектора J, спрямованого вздовж вектору В0). Магнітна проникність парамагнетиків μ ≥ 1 та зменшується зі зростанням температури за законом Кюрі-Вейсса: μ = 1 + C/ T, де Т – абсолютна температура, С – стала, характерна для кожного парамагнетика. Існує ще одна характеристикка магнітного поля – напруженість Н = В0 /μ0. У речовині індукція магнітного пля В = μ0 (H + J), де μ0 – магнітна стала, J = χH, χ – магнітна сприйнятливість, μ = 1 + χ , В = μ0 μ Н (Всі вирази дано у СІ).
До парамагнетиків належать гази (O2, NO2 та інші), метали (лужні, лужногалоїдні, Al, Pt, рідкісноземельні елементи) та багато інших речовин. Діа- та парамагнетики є до так званими слабкомагнітними речовинами, їх магнітні властивості не є функціональними.
Феромагнетики – це речовини, що перебувають у твердому кристалічному стані та мають сукупність магнітних властивостей, обумовлених особливою взаємодією атомів як носіїв магнетизму. Вони складаються з атомів із незабудованими внутрішніми електронними оболонками. Ці атоми, так само, як атоми парамагнетиків, мають некомпенсовані власні магнітні моменти рm. На відміну від парамагнетиків ці моменти (завдяки взаємодіям атомів) можуть набувати певної впорядкованості просторової орієнтації, внаслідок чого феромагнетик самовільно (спонтанно), без дії зовнішнього магнітного поля, намагнічується. Власне (внутрішнє) магнітне поле має індукцію В = μ В0, яка в сотні й тисячі разів перевищує індукцію зовнішнього поля В0 , тобто μ >> 1 і лежить у межах 10 – 105. Вектор намагніченості J = (В - В0)/ μ0. Феромагнітні властивості речовина має лише при температурах Т < θК, де θК так звана температура Кюрі, різна для різних феромагнетиків. При Т ≥ θК феромагнітні властивості зникають й речовина стає парамагнетиком.
Х Рис.2.1. Залежність магнітних властивостей від зовнішнього поля: а ‑ індукції внутрішнього поля B; б – магнітної проникністі ; 1‑ діамагнетик; 2 ‑ парамагнетік; 3 ‑ феромагнетік
Ф для діа- (1), пара-(2) і феромагне тика (3)
Магнітні моменти електронної оболонки атома. Магнітні властивості середовища визначаються електронною структурою атомів, іонів або молекул, що складають речовину. Спрощено рух електронів можна уявити у вигляді елементарних замкнутих струмів, наявність яких приводить до появи орбіталь- ного, рml, та спінового, рms, магнітних моментів. Їх виникнення відбувається за рахунок: 1) руху електронів по орбітах навколо ядра атома; 2) наявності в електронів власного механічного моменту імпульсу, який називаєть ся спіном.
Магнітний момент оболонки багатоелектронного атома визначається магнітними моментами всіх його електронів.
Енергетично вигідним є таке заповнення електронних оболонок, при
якому повний момент мінімальний. Спінові й орбітальні моменти електронів прагнуть орієнтуватися антипаралельно, щоб максимально компенсувати один одного. Завдяки цьому для цілком заповнених електронами оболонок атома орбітальний і спіновий моменти дорівнюють нулю. Тому магнітний момент атома визначається лише електронами не повністю заповнених оболонок. У хімічних елементів, що називаються нормальними, недобудованими є зовнішні оболонки. У перехідних хімічних елементів (3d-металів групи заліза, 4d – групи паладію, 5d – групи платини, 4f – групи рідких земель або лантанідів, 4f – групи актинидів) недобудованими виявляються внутрішні електронні оболонки.
М Рис.2.2. Доменна структура феромагнетика
Отже, феромагнітними властивостями виділяють речовини, в яких елект-
ронні оболонки атомів мають некомпенсовані спінові моменти (результуючий спіновий момент атомів не дорівнює нулю) і атоми розташовуються так близько один до одного, щоб обмінна взаємодія упорядковувала орієнтації спінових моментів.
Доменна структура і намагнічування феромагнетиків. Феромагнітному зразку бути намагні-ченим як єдине ціле енергетично неви- гідно, оскільки збудження магнітного поля в навколишньому просторі потре- бує значних енергетичних витрат. Тому зразок розділяється на фізично малі області –домени із розмірами10-210-3 см, усередині кожного з яких вектор намагніченості має визначений напря- мок. Унаслідок паралельної орієнтації спінових моментів рms у кожному доме- ні виникає сильне внутрішнє поле, таке, що домени виявляються намагніченими до гранично можливої величини Bs
( Рис.2.3. Зміна напрямку магнітних моментів доменів у завнішньому полі
Кожному домену відповідає визначена величина і напрямок вектора маг- нітного моменту Md, але напрямки векторів у сусідніх доменах різні і результу- ючий магнітний момент одиниці об'єму зразка визначається як J = (1/V)∑ Md. Як правило, напрямки векторів намагніченості доменів такі, що створений ними магнітний потік замикається усередині зразка (рис. 2.3, б). При цьому мінімізуються витрати на збудження магнітного поля у навколишнім просторі. При накладенні не надто сильного зовнішнього магнітного поля відбувається зміна співвідношення об'єму доменів (рис.2.3). Така зміна здійснюється шляхом зміщення доменних границь. Оборотне зміщення доменних границь дозволяє досягати сильного намагнічування слабким зовнішнім полем (ділянка 1 на рис. 2.1, а). При цьому відбувається збільшення об'єму тих доменів, магнітні момен- ти яких утворюють найменший кут з напрямком зовнішнього поля H; одночас- но зменшуються розміри доменів із не сприятливою орієнтацією вектора Md. Після виключення зовнішнього поля доменні границі повертаються у вихідні положення (рис. 2.3, а, б).
При більш сильних зовнішніх полях зміщення доменних границь носить необоротний характер (рис. 2.3, в), крива намагнічування має максимальну кру тість (ділянка 2 на рис. 2.1), а залежність (H) проходить через максимум (рис. 2.1, б). При подальшому збільшенні напруженості зовнішнього поля зміщення до менних границь змінюється іншим механізмом намагнічування – механізмом обертання, при якому вектори Md поступово повертаються вздовж напрямку Н (ділянка 3 на рис. 2.1, рис. 2.3, г). Коли всі магнітні моменти доменів орієнту ються вздовж зовнішнього поля, настає технічне насичення намагніченості (ді- лянка 4 на рис. 2.1, рис. 2.4, д). Деяке зростання індукції на ділянці насичення обумовлене складовою 0H у співвідношенні В = μ0 (H + J) і збільшенням намагніченості самого домену.
Характерною особливістю феромагнетиків є неоднозначність залежності В(Н), яка за циклічних змінах напруженості зовнішнього магнітного поля визначається передісторією процесу намагнічування. Це явище називається магнітним гістерезисом.
Т Рис.2.5. Петля феромагніт-ного гістерезиса
Щоб повністю розмагнітити зразок, необхідно прикласти досить сильне поле протилежного напрямку, яке називає ться коерцитивним полем Нс. При подальшому збільшенні магнітного поля зворотного напрямку зразок знову намагнічується вздовж поля до насичення (точка D). Перемагнічування зразка (із точки D у точку А) відбувається по кривій DA. Таким чином, при циклічних змінах поля крива, що характеризує зміну магнітної індукції у зразку, утворює петлю магнітного гістерезису ADA. Зменшуючи амплітуду зміни поля Н до нуля, можна цілком розмагнітити зразок (прийти в точку О, рис. 2.5).
Феромагнітні матеріали – це перехідні метали групи заліза (Fe, Ni, Co з ТC = 1043, 1338, 627 К, відповідно;), рідкоземельні елементи (Gd, Tb, Dy, з ТC = 293, 219, 85К, відповідно), інтерметалеві сполуки (MnAs, CrBr3, EuO з ТC = 313, 33, 69К, відповідно; багато сплавів на основі магнітних елементів (пермалой – сплав Fe-Ni, сплави Гейслера (наприклад, Cu2MnAl)) і деякі інші речовини (MnBi, MnSb, EuS).
Антиферомагнетики – магнітовпорядковані речовини, в яких всі сусідні атомні магнітні моменти розташовані антипаралельно. При цьому, як правило, результуючий момент елементарної магнітної комірки в кристалі дорівнює нулю. Антиферомагнітний стан встановлюється при температурах нижче тем- ператури Нееля ТN, Фазовий перехів при Т= ТN супроводжується аномаліями магнітної проникності, теплоємності та інших параметрів. Вище ТN антиферомагнетик стає парамагнетиком. До антиферомагнетиків належать: твердий кисень, Сr, Mn із ТN= 24, 310 і 100 K, відповідно); ряд оксидів перехідних металів: MnO, FeO, CoO, NiO з ТN = 120, 190, 290, 630 К, відповідно; сульфати: MnSo4, FeSO4, CoSO4, NiSO4 з ТN = 12, 21, 12, 37 К, відповідно, та ряд інших.
Феримагнетики (ферити) – нескомпенсовані антиферомагнетики, багатопідрешіточні магнітовпорядковані кристали з антипаралельною орієнтацією векторів намагніченості нееквівалентних магнітних підрешіток. До феромагнетиків нале жать оксидні кристали (ферити), їх загальна формула n1Fe2O3·n2MaOb·n3RcOd, де n1, n2, n3 – цілі числа, M і R – іони металів. Виділяють ферити зі структурою шпинелі (n1= n2 =1, n3 = 0, а = b =1, кобальтити, хроміти, ман гатити), ортоферити (n1 = n2 =1, n3 = 0, а = 2, b = 3), зі структурою граната ( n1 =5, n2 = 0, n3 = 3, а R – рідкоземельні елементи). Відзначимо, що ферити є найбільш численою групою магнітовпорядкованих середовищ, що знаходять практичне використання.
Висновок. Завдяки нелінійним залежностям В (Н) і (Н), розділенню на домени, сильному намагніченою у слабких зовнішніх полях та явищу магнітно- го гістерезису феромагнітні матеріали розглядають як функціонально активні та використовують у магнітоелектроніці.
- Посібник
- До вивчення дисципліни
- «Функіональні та інтелектуальні
- Матеріали»
- Базові принципи функціональної електроніки
- Основні галузі функціональної електроніки
- Мікроелектроніка
- Інтегральна
- Функціональна
- Класифікація матеріалів функціональної електроніки
- Агрегатний стан та різновиди матеріалів
- Тверде тіло
- Матеріали функціональної оелектроніки
- Структура матеріалів
- Структура
- Функціональні властивості матеріалів
- Функціонально активні матеріали
- Фізичні явища та особливі властивості матеріалів функціональної електроніки
- 2.1. Особливості електрофізичних та магнітних параметрів
- 2.1.1 Магнітні характеристики речовини
- 2.1.2. Електропровідність речовин
- Tип аiiiвv
- Tип аiiвvi
- 2.1.3. Діелектричні характеристики речовин
- Особливі властивості матеріалів функціональної електроніки
- 2.2.1. Поляризаційні ефекти неелектричного походження
- 2.2.2. Ефекти взаємодії світла із речовиною.
- Ефекти взаємодії різних чинників з речовиною.
- 3. Прилади та пристрої функціональної електроніки
- 3.1. Акустоелектроніка та акустооптика
- 3.2. Оптоелектроніка
- 3.3. Магнетоелектроніка та магнетооптика
- 3.4. Діелектроніка
- 3.5. Напівпровідникова та квантова електроніка (частково)
- 4. Технології одержання функціонально активних матеріалів
- 4.1 Класифікація методів вирощування кристалів
- 4.2. Отримання кристалів з твердої фази
- 4.3. Отримання кристалів з рідкої фази
- 4.3.1 Вирощування кристалів з розплаву
- 4.4. Отримання кристалів з газової фази
- 4.5. Епітаксія Для вирощуванні тонких кристалографічно орієнтованих шарів
- 4.5.1. Газофазна епітаксія
- Космичні технології
- Список використаної літератури