4.6. Индексация граней
Для описания положения граней кристалла естественно пользоваться приёмами аналитической геометрии, а именно системой осей координат. Но если в аналитической геометрии предпочитают декартовы координаты (угол между осями составляет 90), то в кристаллографии выбирают систему координат так, чтобы оси координат были параллельны рёбрам кристалла.
Положение любой грани кристалла можно задать так называемыми параметрами грани x, y, z. Параметрами грани называются величины отрезков, отсекаемых плоскостью грани на осях, причём за единицу приняты величины отрезков, отсекаемых единичной гранью. (рис 11.)
рис.11. Параметры грани
Казалось бы, простой метод описания положения граней совокупностью параметров x, y, z вполне удовлетворителен. Но в кристаллографии и рентгенографии пользуются не параметрами, а индексами грани h, k ,ℓ. Индексы грани позволяют выбрать грань с нужными свойствами. Учёт индексации приводит к возможности выращивать монокристаллы с определёнными свойствами. Индексы грани – это величины, обратно пропорциональные параметрам грани x, y, z. Следовательно, если плоскость отсекает на осях отрезки x, y, z, то вместо отношения отрезков x : y : z берут отношение:
1/x : 1/y : 1/z = h : k : ℓ
Совокупность индексов грани называется символом грани. Символ грани в общем случае записывается (h k ℓ); символ единичной грани (III). Параметры h, k, ℓ называются индексами Миллера.
Если плоскость пересекает ось в области отрицательных значений координат, то соответствующий индекс будет отрицательным и знак минус ставится над индексом.
Непараллельные плоскости, имеющие одинаковое атомное строение, кристаллографически эквивалентны (например, (001), (100) или (110) и (011) и т.д.).
Зная индексы (hkl) плоскости, можно подсчитать межплоскостное расстояние d между плоскостями (hkl) данного семейства для кубических кристаллов с периодом решетки a по формуле
Эта зависимость широко используется при рентгеноструктурном анализе кристаллических тел, имеющих кубическую решетку.
Индексы Миллера. Служат для характеристики положения произвольной кристаллической плоскости в кристаллографической системе осей (рис. 11).
1. Если плоскость параллельна оси, то точка пересечения плоскости с осью находится в бесконечности. Обратное значение:
1/∞=0.
2. Символ {hkl}. Обозначает семейство всех равнозначных кристаллографических плоскостей.
Например: {100} — простая кубическая решетка; может быть получена следующей комбинацией (hkl):
{hkl} | Плоскость |
hkl = (100) hkl = - (100) hkl = (010) hkl = - (010) hkl = (001) hkl = - (001) | Передняя Задняя Правая Левая Верхняя Нижняя |
3. Символ [uvw] — направление в решетке. Это направление, которое проходит от начала координат к произвольной точке Р кристаллической решетки; оно может однозначно характеризоваться координатами и, v, w точки Р, которые и обозначаются символами [и, v, w] .
4. Символ <uvw>. Применяется в тех случаях, когда нужно характеризовать только симметрию, а не положения решетки в пространстве.
При обозначении узлов и направлений в кристаллической решетке координаты любого узла решетки можно выразить как x=ma, y=nb, z=pc, где a, b, c - параметры решетки, m, n, p - целые или дробные числа. Если за единицы измерения длин принять параметры решетки, то координатами узла будут просто целые или дробные числа m, n, p. Эти числа называют индексами узла и записывают следующим образом: [[mnp]] (рис. 12, а).
Рис. 12.
Рис. 13.
Для удобства описания гексагональной решетки часто к трехосной системе координат добавляют четвертую координатную ось u, которая составляет равные углы (120o) с осями x и y и перпендикулярна гексагональной оси z (рис. 13, г). В получившейся четырехосной системе координат (x, y, u, z) каждая из граней элементарной гексагональной ячейки пересекает по две координатные оси, отсекая от них одинаковые отрезки. Проекции узловых точек на оси координат x, y, u, z могут представлять собой дробные или отрицательные числа.
После приведения к общему знаменателю числители полученных дробей являются индексами направления. В качестве примера на рис. 13, г приведены индексы координатных осей x, y, u. Значения индекса, меньше нуля, отмечены знаком инверсии над соответствующим индексом. Например, координаты узла B, лежащего на оси y (рис. 13, г) равны [[-1/2, 1, -1/2, 0]]. Следовательно, индексы направления, совпадающего с осью y, равны . Индексы направлений координатных осей х и u равны и соответственно.
Пример 1. Определить индексы плоскости, параллельной осям у и z/
Решение: Если лучи падают
X =a перпендикулярно плоскости 100,
Y=∞ то они встретят две плоскости и Z=∞ расстояние между ними равно h:k:l=1:0:0 d100=a
x: y :z =a: ∞:∞
h:k:l =(1/a):(1/∞):(1/∞)=1/a:0:0=1:0:0;
Следовательно, символ грани (100).
Пример 2. Определить индексы грани в простой кубической решетке, параллельной оси z.
Р ешение: Если лучи перпендикулярны
X=a плоскости 110, то d=a21/2 2, так Y=a как плоскостей будет уже 3 и Z=∞ расстояние равно половине диагонали куба.
x : y : z=a : a : ∞
h : k: l = (1/a) : (1/a) : (1/∞) =(1/a) : (1/a) : 0
Символ грани (110)
Пример 3. Определить индексы Миллера в простой кубической решетке в случае x=a, y=a, z=a.
Р ешение:
h : k: l = 1/a : 1/a : 1/∞ =1 : 1 : 1
Если лучи падают перпендикулярно грани 111, то они уже встретят 4 плоскости и расстояние между ними
Символ грани (111).
Пример 4. Определить расстояние между плоскостями (100).
Решение:
Отношение обратных величин d100, d110, d111, является характеристикой для данного типа кристаллической решетки: 1/d100 : 1/d110 : d111=1:2½:3½. Это соотношение построения для данной решетке, в конечном итоге определяет отношения расстояние на рентгенограмме кристалла.
- Лекция 6-8. Агрегатные состояния вещества
- 1. Агрегатные состояния вещества
- 1.1. Плазма
- 1.2. Газообразное состояние
- 1.3. Жидкости
- 1.3.1. Жидкие кристаллы
- 1.3.1.1. Общие сведения о жидких кристаллах.
- 1.3.1.2. Открытие жидких кристаллов
- 1.3.2. Классификация жидких кристаллов
- 1.4. Твердые вещества
- 1.4.1. Аморфные вещества
- 1.4.2. Кристаллические вещества
- 1.4.2.1. Изоморфизм и полиморфизм
- 2. Рентгеноструктурный анализ
- 3. Строение кристаллов
- 3.1. Элементы симметрии
- 3.2. Кристаллические системы (типы кристаллических решеток)
- 3.3. Основные характеристики элементарной ячейки
- 3.4. Расчёт основных размеров элементарных ячеек кубической системы
- 3.5. Классификация кристаллов по типу химических связей
- 4. Атомные нарушения структуры кристалла
- 4.1. Классификация дефектов структуры
- 4.1.1. Точечные дефекты
- 4.1.2. Образование точечных дефектов
- 4.2. Линейные деффекты (дислокации)
- 4.2.1.Краевая и винтовая дислокации
- Поверхностные дефекты
- 4.4. Плотность дислокаций
- 4.5. Широта области гомогенности
- 4.6. Индексация граней