4.1.2. Образование точечных дефектов

Теперь рассмотрим причины, вызывающие образование дефектов.

Температура. Даже в идеальном при O ºК кристалле с повышением температуры возникают дефекты. Это происходит потому, что повышение температуры способствует перемещению атомов или ионов в промежуточные положения, а также взаимному замещению ионами друг друга в подрешетках кристалла.

Равновесная концентрация вакансий в кристалле растет с повышением температуры по экспоненциальному закону. Подвергая кристалл закалке, т. е. фиксируя при низкой температуре его высокотемпературное состояние, можно создать избыточную концентрацию вакансий в кристалле. Именно из-за этого можно резко изменить механические свойства материала путем закалки. При сильно неравновесных условиях возможно пересыщение кристалла вакансиями, тогда они объединяются и образуют поры, перерастающие иногда в «отрицательные» кристаллы.

Примеси. (примесные дефекты) В узлах решетки часть основных ионов заменена ионами примеси – твердые растворы замещения, или ионы примеси находятся в промежуточных положениях решетки – твердые растворы внедрения. Следовательно наличие тех или иных дефектов в реальных кристаллах определяется условиями их образования. Искажая кристаллическую решетку все виды точечных дефектов влияют на физические свойства (уменьшается пластичность и электропроводность и т.д)