logo
Задания на 3 семестр / Физико-технические эффекты_ФТЭ / ФТЭ

Акустоэлектрический эффект

Входы: акустическая волна.

Выходы: электрический ток, электрическое напряжение.

Графическая иллюстрация:

Рис. 2.76. 1. Возникновение поперечной акустоэдс при распространении поверхностной акустической волны по пьезоэлектрику; 1 – полупроводник; 2 – излучатель УЗ; 3 – электроды

Сущность:

Акустоэлектрический эффект - возникновение постоянного тока или эдс в металлах (или полупроводниках) под действием интенсивной упругой волны высокой частоты - ультразвуковой или гиперзвуковой - в направлении её распространения. Акустоэлектрический эффект возникает из-за «увлечения» носителей тока акустической волной вследствие акустоэлектронного взаимодействия, при котором часть импульса, переносимого волной, передается электронам проводимости, в результате чего на них действует средняя сила, направленная в сторону распространения волны. В соответствии с этим акустоэлектрический эффект меняет знак при изменении направления волны.

Математическое описание:

Передача импульса от волны электронам сопровождается поглощением звуковой энергии, поэтому действующая на электрон сила пропорциональна коэффициенту электронного поглощения звука и интенсивности акустической волны I. Плоская волна, интенсивность которой при прохождении слоя толщинойуменьшается за счет электронного поглощения на величину, передает в среду механический импульс, приходящийся наэлектронов слоя (vs - скорость звука. ne - концентрация свободных электронов). Следовательно, на отдельный электрон действует средняя сила Под действием этой силы появляется акустоэлектрический ток, плотность которого(- подвижность электронов) определяется соотношением(соотношение Вайнрайха). В случае произвольных акустических полей выражение для акустоэлектрического тока получается как среднее по времени значение произведения переменной концентрации свободных носителей, возникающих под действием акустических полей в проводнике, и их переменной скорости.

Применение.

Акустоэлектрический эффект применяется для измерения интенсивности УЗ-излучения, частотных характеристик УЗ-преобразователей, а также для исследования электрических свойств полупроводников: измерения подвижности носителей тока, контроля неоднородности электронных параметров, примесных состояний и др.