4.3.3 Igbt-модули

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistors) - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком.

В настоящее время IGBT-транзисторы выпускаются, как правило, в виде модулей в прямоугольных корпусах с односторонним прижимом и охлаждением или в таблеточном исполнении с двухсторонним охлаждением. Модули с односторонним охлаждением выполняются в прочном пластмассовом корпусе с паяными и винтовыми контактами и изолированным основанием (рис. 4.3.4). Все электрические контакты находятся в верхней части корпуса. Отвод тепла осуществляется через основание.

Рис. 4.3.4. Внешний вид IGBT-модулей

IGBT-модуль по внутренней электрической схеме может представлять собой единичный IGBT, двойной модуль, где два IGBT соединены последовательно (полумост), прерыватель, в котором единичный IGBT последовательно соединён с диодом, однофазный или трёхфазный мост. Во всех случаях, кроме прерывателя, модуль содержит параллельно каждому IGBT встроенный обратный диод. Наиболее распространённые схемы соединений IGBT- модулей приведены на рис. 4.3.5.

Рис. 4.3.5. Схемы соединений IGBT-модулей