Исследование методов наблюдения доменов в тонких ферромагнитных пленках
Перечень определений, обозначений и сокращений
h - постоянная Планка, равная 6,625·10-27 эрг·сек (или 6,625·10-34 Дж·с);
|е| = 1,7·10-19 Кл - заряд электрона;
m = 9,1·10-31 кг - масса покоя электрона;
м- магнетон Бора;
c- скорость света в вакууме;
U- энергия обменного взаимодействия;
Т- температурой Кюри;
М- плотность спонтанного магнитного момента;
a - параметр решетки;
Нс- коэрцитивное (задерживающее) поле или коэрцитивная сила;
Js - намагниченность;
ОЛН- ось легкого намагничивания;
L - длина кристалла;
V - коэффициент Верде;
ВКР - выпускная квалификационная работа.
Содержание
- Перечень определений, обозначений и сокращений
- Введение
- 1. Теоретическая часть
- 1.1 Магнетизм
- U- энергия обменного взаимодействия;
- 1.3 Энергия обменного взаимодействия
- 1.4 Атомные магнитные структуры
- 1.5 Опыты по определению носителя ферромагнетизма
- 1.6 Природа ферромагнетизма
- 1.7 Магнитные фазовые переходы
- 1.8 Ферромагнетизм и кристаллическая решетка
- 1.9 Гистерезисные явления в ферромагнетиках
Похожие материалы
- §2.3. Ферромагнитные домены.
- 4.1. Общие сведения о тонких пленках.
- Глава 9 Электронные процессы в тонких пленках и тонкопленочных структурах
- 8.5. Ферромагнитный материал
- VI. Доменная структура Ферромагнитные домены
- 9.8. Ферромагнитные домены
- 53. Цилиндрические магнитные домены
- 1.10. Ферромагнитные домены
- Тонкие ферромагнитные пленки