Вступ

Електронна зонна структура E(k) є фундаментальною характеристикою, що визначає більшість фізичних властивостей твердих тіл (наприклад, явища переносу, оптичні й фотоемісійні (ФЕ) властивості). Зонна структура (а саме електронні стани в околиці рівня Фермі E_F) також є одним з головних факторів, що визначають функціонування приладів твердотільної електроніки. При цьому важливо не тільки розташування електронних станів по енергії (зумовлююче, наприклад, ширину забороненої зони), але й розташування цих станів в k-просторі. Традиційними методами дослідження незаповнених високо лежачих станів є спектроскопія поглинання рентгенівських променів (XAS) [1], спектроскопія рентгенівських випромінювальних переходів (BIS) [1,2], спектроскопія характеристичних втрат енергії електронів внутрішніх оболонок (EELS) [1,3], обернена ФЕ-спектроскопія (IPES) [1,4,5], спектроскопія дифракції низько енергетичних електронів (ДНЕ-VLEED) [6,7], низько енергетична повторно-електронна емісійна спектроскопія (SEES) [8,9], рентгенівські емісійні спектри (XES) [10], низько енергетична спектроскопія повного струму (ПТ) - TCS [5,11,12] і її різновид - спектроскопія проходження низько енергетичних електронів (ПНЕ) - LEET [13-15]. Останні два методи, відрізняючись високою поверхневою чутливістю й відсутністю руйнуючого впливу на досліджуваний зразок, поряд із застосуванням для аналізу елементарних порушень і приповерхневих станів у цей час використовуються для контролю чистоти поверхні в процесі очищення від домішок, визначення роботи виходу і т.д. Слід зазначити й те, що експериментальна простота цих двох методів дозволяє застосувати їх для контролю параметрів E(k) безпосередньо в процесі виробництва напівпровідникових приладів. Хоча вимірювані при цьому високо лежачі стани безпосередньо не ставляться до станів поблизу E_F, зміни цих станів взаємозалежні.