3. Впровадження водню В GaSe

Актуальність водневої тематики обумовлена перспективою створення ефективних акумуляторів водню, заснованих на оборотної сорбції водню в кристалічну решітку базового матеріалу. Більшість сучасних досліджень присвячено гідруванню водневих зєднань.

Впровадження водню в GaSe проводили при тиску = 0,3 Па і температурі 600?С. Контроль кристалічної структури вхідних і вихідних зразків GaSе проводили порошковим рентгенографічним методом на установці ДРОН - 2.0. Із дифрактограми вихідного й гідрованого зразків GaSe (рисунок 2.2) видно, що гідровані зразки зберігають структуру вихідного матеріалу. Збільшення періоду гратки гідрованого кристала GaSе в порівнянні з вихідним свідчить про впроваджень молекулярного водню. Проведено дослідження електричних й оптичних властивостей інтеркальованих монокристалів GaSе. Внаслідок інтеркалювання GaSе опір вздовж кристалографічної осі р_с зменшився щодо вихідних зразків майже в 10 разів, що можна пояснити, припустивши утворення акцепторних рівнів у забороненій зоні GaSе при впровадженні водню в кристалічну решітку.

(а)

(б)

Рисунок.2.2 - Дифрактограми початкового (а) і гідрованого (б) кристалу GaSе.

Визначено спектральне положення екситонного максимуму Е_екс для вихідних і інтеркальованих кристалів GaSе при 77 К. Для вимірів спектрів пропущення використали зразки товщиною 10-20 мкм. Дослідження проводили на спектрометричній установці, зібраної на базі модифікованого спектрометра ИКС-31 (при напрямку поширення світла перпендикулярно базової площини кристала). Установлено зсув енергетичного положення екситонного максимуму у високоенергетичу область на 2,7 меВ для інтеркальованих монокристалів у порівнянні з вихідними зразками GaSе (рисунок 2.3). Слід зазначити, що зсув.Е_екс у високоенергетичу область спостерігалось також для монокристалічних зразків GaSе, інтеркальованих воднем електрохімічним методом.

Рисунок. 2.3 - Спектри обтичної площини початкового (1) і гідрованого (2) кристалів GaSе при 77 К

Зміщення енергетичного положення екситонного піку при 77 К можна повязати зі зміною ширини забороненої зони і енергії звязку екситона при гідруванні, зумовленої деформацією кристалічної гратки. Враховуючи специфіку кристалічної структури GaSе, слід відмітити, що вплив відповідних деформацій на перебудову енергетичного спектру GaSе можуть по різному змінюватися при інтеркаляції шаруватого кристалу. При збільшенні деформаційних напруг в шаруватих кристалах, звязаних з процесом впровадження водню в GaSе, значення пружних постійних, які характеризують звязок між атомами водню, в межах шарів збільшуються повільніше, ніж між шарами. Зміщення піку екситонного максимуму в область великих енергій на 2,7 меВ (рисунок 2.3) зумовлено зміною пружних постійних між шарами, що приводить до збільшення ширини забороненої зони E_g інтеркальованого кристалу GaSе і енергії звязку екситона Е_зв. Концентрація впровадженого водню в GaSе складала (0 < x 2).