Принцип работы, устройство и область применения полупроводниковых лазеров

курсовая работа

3. Принцип действия

Рис. 5. Принцип действия полупроводникового лазера.

Рассмотрим рис. 5, на котором показаны валентная зона V, зона проводимости С и ширина запрещенной зоны Eg. При Т= 0 валентная зона полностью заполнена электронами, зона проводимости пуста.

Если электроны каким-то образом переведены в зону проводимости, они перейдут на самый нижний уровень, в валентной зоне электроны тоже перейдут на самые нижние из незанятых уровней, и верхушка этой зоны будет заполнена дырками (рис. б). В результате возникнет инверсия населенностей. Электроны рекомбинируют с дырками, испуская при этом фотон (рекомбинационное излучение). Т.е., если между зоной проводимости и валентной зоной существует инверсия населенностей, то процесс вынужденного рекомбинационного излучения приведет к генерации при наличии подходящего резонатора и выполнении соответствующих пороговых условий.

Делись добром ;)